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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제17권 제1호
발행연도
2007.1
수록면
6 - 10 (5page)

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R-plane 사파이어 위에 a-plane GaN층이 성장된 기판에 혼합소스 HVPE(mixed-source hydride vapor phase epitaxy) 방법으로 GaN/InGaN의 이종접합구조(heterostructure)를 구현하였다. GaN/InGaN 이종접합구조의 성장은 선택성장 (SAG : selective area growth) 방법을 사용하였다. GaN/InGaN 이종접합구조는 GaN, InGaN, Mg-doped GaN 층으로 구성되 어 있다. 각 층의 성장온도는 GaN층은 820oC, InGaN 층은 850oC, Mg-doped GaN 층은 1050oC에서 성장하였다. 이때의 NH3와 HCl 가스의 유량은 각각 500 sccm, 10 sccm 이었다. SAG-GaN/InGaN 이종접합구조의 상온 EL (electroluminescence) 특성은 중심파장은 462 nm, 반치폭(FWHM : full width at half maximum) 은 0.67 eV 이었다. 이 결과로부터 r-plane 사파이어 기판위에 multi-sliding boat system의 혼합소스 HVPE 방법으로 이종접합구조의 성장이 가능함을 확인하였다.
#HVPE #R-plane sapphire #Heterostructure #a-plane GaN #Multi-sliding boat #Mixed-source

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/ 1999 / ？Giant electric fields in unstrained GaN single quantum wells？ 74 : 3827 ~ google schola / 1999 / ？MOCVD growth of GaN on LiAlO2 (100) substrates？ 176 : 589 ~ google schola / 2000 / ？Cathodoluminescence characterization of GaN thick films grown by using the HVPE method？ 37 : 956 ~ google schola / 2000 / ？Room-temperature operation at 333 nm of Al0.03Ga0.97N/Al0.25Ga0.75N quantum-well light-emitting diodes with Mg-doped superlattice layers？ 77 : 175 ~ google schola / 2001 / ？AlGaN/AlGaN double-heterojunction ultraviolet light-emitting diodes grown by metal organic chemical vapour deposition？ 37 : 1188 ~ google schola

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