r면 사파이어 위에 HVPE로 성장된 a면 GaN 에피층의 성장온도 효과 및 1000oC 에서의 V/III족 비의 효과

하주형; 박미선; 이원재; 최영준; 이혜용

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자료유형: 학술저널

저자정보: 하주형 박미선 이원재 최영준 이혜용

저널정보: 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제25권 제2호

발행연도: 2015.1

수록면: 56 - 61 (6page)

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Ga source 채널의 HCl flow가 700 sccm, 그리고 V/III족 비가 10으로 고정되었을 때, r-면 사파이어 위에 HVPE 로 성장된 a-면 GaN 에피층 특성에 대한 성장 온도 영향을 연구하였다. 추가적으로 성장온도가 1000 o C, 그리고 Ga source 채널의 HCl flow가 700 sccm으로 고정되었을 때, 공급가스에 대한 V/III족 비 영향에 대하여 연구하였다. 성장온도가 높아지면서, a-면 GaN 에피층에 대한 (11-20) 면의 Rocking curve(RC)의 반치폭 값이 감소하였고 a-면 GaN 에피층의 성장두께는 증가하였다. 1000 o C에서 V/III족 비가 높아짐에 따라, (11-20) 면의 RC의 반치폭 값이 감소하였고, a-면 GaN 에피층의성장두께가 증가하였다. 1000 o C와 V/III족 비=10에서 성장된 a-면 GaN 에피층이 (11-20) 면에서 가장 낮은 RC 반치폭인734 arcsec을 보이며, RC측정을 통한 (11-20) 면의 방위각 가장 작은 영향을 보여준다.

#a-Plane GaN #r-Plane sapphire #HVPE

참고문헌 (20)

참고문헌 신청

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