지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
본 논문에서는 Al 조성이 점진적으로 변화된 AlGaN 에피층을 HVPE (hydride vapor phase epitaxy) 방법에 의하여 성장하였다. 소스영역의 온도는 950oC, 성장 영역의 온도는 1145oC에서 연속적으로 (0001) 사파이어 기판위에 성장되었고, AlGaN 에피층은 시간당 100 nm의 성장률을 보였다. FE-SEM 측정과 EDS 측정으로부터 성장층의 Al 변화를 확인하였으며, AFM 측정결과 2인치 기판위에 성장된 graded AlGaN 에피층의 거칠기는 수십 nm였다. Al 조성의 변화는 XRD 측정에 의하여 확인하였으며, Al 조성 74 %의 (002) AlGaN의 주피크 관측과 함께 연속적으로 (002) AlN 층의 피크가 확인되었다. 이는 하나의 층에 사파이어 기판으로부터 Al 조성이 점진적으로 변화하는 에피층을 HVPE 방법으로 얻었음을 증명하며, 이 결과로부터 다양한 광소자 및 전자소자의 응용이 기대된다.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (21)
참고문헌 신청
A. Able / 2005 / Growth of crack-free GaN on Si (111) with graded AlGaN buffer layers / J. Cryst. Growth 276 (3) : 415 ~
D. Guojian / 2010 / Characteristics of GaN grown on 6H-SiC with different AlN buffers / J. Cond 31 (3) : 3 ~
D. Tsvetkov / 2001 / Growth of submicron AlGaN/GaN/AlGaN heterostructures by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) / Phys. Stat. Solidi (c) 188 (1) : 429 ~
E. C. Yong / 2012 / Compositionally graded relaxed AlGaN buffers on semipolar GaN for mid-ultraviolet emission / J. Appl. Phys. Lett 101 : 9 ~
H.M. Kim / 2000 / Cathodoluminescence characterization of GaN thick films grown by using the HVPE method / J. Korean Phys. Soc 37 : 956 ~
D. Guojian / 2010 / Characteristics of GaN grown on 6H-SiC with different AlN buffers / J. Cond 31 (3) : 3 ~
D. Tsvetkov / 2001 / Growth of submicron AlGaN/GaN/AlGaN heterostructures by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) / Phys. Stat. Solidi (c) 188 (1) : 429 ~
E. C. Yong / 2012 / Compositionally graded relaxed AlGaN buffers on semipolar GaN for mid-ultraviolet emission / J. Appl. Phys. Lett 101 : 9 ~
H.M. Kim / 2000 / Cathodoluminescence characterization of GaN thick films grown by using the HVPE method / J. Korean Phys. Soc 37 : 956 ~
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
GaN 스트라이프 꼭대기 위의 AlGaN 어레이 미세구조의 선택적 결정 성장
한국결정성장학회지
2015 .01
-
혼합소스 HVPE 방법에 의한 전력 반도체 소자용 p형 AlN 에피층 성장
한국결정성장학회지
2019 .01
-
6H-SiC 기판 위에 혼합소스 HVPE 방법으로 성장된 AlN 에피층 특성
한국결정성장학회지
2020 .01
-
AlGaN 장벽층을 갖는 에피구조를 이용한 고반응도 수소 센서
대한전자공학회 학술대회
2021 .11
-
An alternative X-Ray Diffraction analysis for comprehensive determination of structural properties in compositionally graded strained AlGaN epilayers
Electronic Materials Letters
2018 .01
-
Filter-free AlGaN Photodiode with High Quantum Efficiency for Partial Discharge Detection
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2020 .04
-
AlGaN/GaN HEMT 소자의 1st Passivation 및 AlGaN Layer 두께 변화에 따른 동작 특성 시뮬레이션
대한전자공학회 학술대회
2022 .06
-
AlGaN Barrier 및 GaN Buffer 두께 변화에 따른 AlGaN/GaN HEMT 소자의 트랜스컨덕턴스 및 항복전압 동작 특성 향상에 관한 시뮬레이션 연구
대한전자공학회 학술대회
2023 .06
-
Effect of Thin Al₂O₃ Surface Protection Layer on Performance Improvement of AlGaN/GaN HEMT
JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE
2020 .10
-
CVD 다이아몬드 기판에 형성된 AlGaN/GaN 이종 구조위의 쇼키 다이오드의 열 특성
대한전자공학회 학술대회
2018 .06
-
Al 조성비에 따른 Normally-off AlGaN/GaN Double-channel HEMT의 전기적 특성 분석
대한전기학회 학술대회 논문집
2024 .07
-
AlGaN/GaN HEMT의 수치해석 시뮬레이션 연구
대한전기학회 학술대회 논문집
2015 .07
-
원자층 증착법을 이용한 AlN 박막을 통한 AlGaN/GaN 이종접합의 전류 개선 연구
전자공학회논문지
2021 .05
-
AlGaN barrier engineering of AlGaN/GaN HEMT-based NO₂ gas sensor with Pd catalyst: Simulation and experiment
대한전자공학회 학술대회
2021 .06
-
Ni cluster를 이용하여 제조된 반사방지구조를 적용한 AlGaN 기반 광다이오드 효율 개선 연구
대한전자공학회 학술대회
2020 .08
-
Study on AlGaN P-I-N-I-N Solar-Blind Avalanche Photodiodes with Al0.45Ga0.55N Multiplication Layer
Electronic Materials Letters
2015 .01
-
AlGaN/GaN high electron mobility transistor 기반 고감도 수소센서
대한전자공학회 학술대회
2019 .11
-
저온에서 AlGaN/GaN HEMT의 전기적 특성 변화
전기전자학회논문지
2018 .06
-
선택적인 내부 비활성 영역을 갖는 AlGaN/GaN HEMT 특성
대한전자공학회 학술대회
2020 .08
-
고전압 AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor의 Source Field Plate 설계
대한전기학회 학술대회 논문집
2016 .07
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0