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본 연구에서는 HVPE 성장법으로 GaN 성장 시 GaN 내에 잔류하는 stress로 인한 crack 현상을 감소시키고자기판 종류 및 V/III 비를 조절하여 잔류 stress 특성을 알아보고자 하였다. Sapphire, GaN template 위에 각각 V/III 비 5, 10,15의 조건으로 GaN을 성장시켜 형성된 hexagonal pit의 분포 및 깊이를 분석하였다. 이를 통해 G aN on GaN t emplate 성장에서 V/III 비가 높을수록 hexagonal pit의 분포 영역 및 깊이가 증가하는 것을 확인하였다. Raman 측정을 통해 hexagonalpit 영역 및 깊이가 컸던 GaN on GaN template 성장에서 V/III 비가 높을수록 stress가 감소하는 것을 확인하였다. 이를 통해 hexagonal pit의 분포 및 깊이가 증가할수록 잔류 stress가 낮아짐을 확인할 수 있었으며, 향후 후막 GaN 성장 시 stress감소 가능성에 대해 확인하였다.
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이희애 / 2018 / 전력반도체용 GaN 기판 산업동향 / 한국결정성장학회지 28(4):159~165
K. Naniwae / 1990 / Growth of single crystal GaN substrate using hydride vapor phase epitaxy / J. Cryst. Growth 99:381
J.H. Park / 2015 / Characterization of the bulk GaN single crystal grown by HVPE method
W. Luo / 2012 / The growth of high-quality and self-separation GaN thick-films by hydride vapor phase epitaxy / J. Cryst. Growth 340:20
L. Zhang / 2015 / Influence of stress in GaN crystals grown by HVPE on MOCVD-GaN/6H-SiC substrate / Sci. Rep 4(4179):3
K. Naniwae / 1990 / Growth of single crystal GaN substrate using hydride vapor phase epitaxy / J. Cryst. Growth 99:381
J.H. Park / 2015 / Characterization of the bulk GaN single crystal grown by HVPE method
W. Luo / 2012 / The growth of high-quality and self-separation GaN thick-films by hydride vapor phase epitaxy / J. Cryst. Growth 340:20
L. Zhang / 2015 / Influence of stress in GaN crystals grown by HVPE on MOCVD-GaN/6H-SiC substrate / Sci. Rep 4(4179):3
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