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논문 기본 정보

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저널정보
대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제40권 제11호
발행연도
2003.11
수록면
1 - 8 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2003

Nano CMOS 소자를 위한 Ni-silicide의 Dopant 의존성 분석
배미숙 ,  지희환 ,  이헌진 외 5명 전자공학회논문지-SD 2003.11 학술저널

2002

Nano CMOS를 위한 Ni-silicide의 source/drain의 As, BF₂에 따른 영향분석
배미숙 ,  지희환 ,  이헌진 외 5명 대한전자공학회 학술대회 2002.11 학술대회자료

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본 논문에서는 소스/드레인 및 게이트의 불순물에 따른 실리사이드의 의존성을 면저항과 단면 특성 등의 분석을 통하여 연구하였다. 급속 열처리 후에는 As, P, BF₂,B11 등과 같은 불순물에 대한 먼저항의 차이가 거의 나지 않았다. 하지만 실리사이드 형성 후의 고온 열처리시에 그 특성이 매우 크게 변화하였다. BF₂를 주입한 시편에서의 특성이 가장 좋게 나타난 반면, As를 주입한 실리사이드의 특성이 가장 열화되었다. BF₂를 주입한 시편에서의 실리사이드 특성 향상은 flourine에 의한 니켈의 확산 방지 때문인 것으로 여겨진다. 그러므로 실리사이드의 성능 향상을 위해 Ni의 확산을 방지시키는 것이 매우 필요하다.

목차

요 약

Abstract

Ⅰ. 서 론

Ⅱ. 실 험

Ⅲ. 결과 및 고찰

Ⅳ. 결 론

참 고 문 헌

저 자 소 개

참고문헌 (0)

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