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한국산학기술학회 한국산학기술학회 논문지 한국산학기술학회논문지 제9권 제1호
발행연도
2008.2
수록면
16 - 22 (7page)

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10㎚ Ni/30 ㎚와 70㎚ poly Si/200㎚ SiO₂/Si(100) 구조로부터 니켈실리사이드의 열적안정성을 연구하기 위해서 쾌속열처리기를 이용하여 실리사이드화 온도 300~1100℃에서 40초간 열처리하여 실리사이드를 제조하였다. 준비 된 실리사이드의 면저항값 변화, 미세구조, 상 분석, 표변조도 변화를 각각 사점면저항측정기, FE-SEM, TEM, HRXRD, SPM을 활용하여 확인하였다. 30 ㎚ 다결정실리콘 기판 위에 형성된 실리사이드는 900℃ 까지 열적안정성 있었다. 반면에 70 ㎚ 다결정실리콘 기판 위에 형성된 실리사이드는 기존연구결과와 동일한 700℃ 이상에서 고저 항상인 NiSi₂로 상변화 하였다. HRXRD로 확인한 결과, 30 ㎚ 두께의 기판 위에 니켈실리사이드는 900℃ 고온에서도 NiSi상이 유지되다가 l000℃에서 NiSiO₂로 상변화 하였다. FE-SEM과 TEM 관찰결과, 30 ㎚ 두께의 다결정실리콘 기판에서는 700℃의 저온처리에는 잔류 다결정실리콘 없이 매우 균일하고 평탄한 40 ㎚의 NiSi가 형성되었고, 1000℃ 에는 선폭 1.0 ㎛급의 미로형 응집상이 생성됨을 확인하였다. 70 ㎚ 두께의 다결정실리콘 기판에서는 불균일한 실리사이드 형성과 잔류 다결정실리콘이 존재하였다. SPM결과에서 전체 실험구간에서의 RMS 표면조도 값도 17㎚ 이하로 CMOS공정의 PUSI게이트 적용의 가능성을 보여주었다. 다결정실리콘 게이트의 높이를 감소시거면 니켈실리사이 드는 상안정화가 용이하며 저저항구간을 넓힐 수 있는 장점이 있었다.
#fluxtronics #nano-thick #Ni silicide #salicide #thermal stability

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1. [단행본] - K. C, Saraswat / 1982 / Electron Devices / IEEE Trans : 645 ~ google schola 2. [학술지(정기간행물)] - J. Chen / 1997 / / J. Electrochem. Soc 144 : 2437 ~ google schola 3. [학술지(정기간행물)] - A. Kasuya / 2002 / Colloids, and Surfaces A 202 : 291 ~ google schola 4. [학술지(정기간행물)] - J. P.Gambino / 1998 / Materials Chemistry and Physics 52 : 99 ~ 113 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - J. Lutze / 2000 / / IEEE Electron Device Lett 21 (4) : 155 ~ google schola

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