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이용수
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
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100㎚ 이하의 CMOS 소자를 위한 Ni Silicide Technology
대한전자공학회 학술대회
2002 .06
Nano CMOS를 위한 Ni-silicide의 source/drain의 As, BF₂에 따른 영향분석
대한전자공학회 학술대회
2002 .11
Cobalt Interlayer 와 TiN capping를 갖는 새로운 구조의 Ni-Silicide 및 Nano CMOS에의 응용
전자공학회논문지-SD
2003 .12
Poly-Si에 이온 지입된 dopants가 Ti-Silicides 형성에 미치는 영향 ( Effects of dopants introduced into the poly-Si on the formation of Ti-Silicides )
대한전자공학회 학술대회
1989 .07
Nano CMOS 소자를 위한 Ni-silicide의 Dopant 의존성 분석
전자공학회논문지-SD
2003 .11
Composite Target으로 증착된 Ti-silicide의 현성에 관한 연구[II]
한국재료학회지
1991 .01
Study of Thermal Stability of Ni Silicide using Ni-V Alloy
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2008 .01
Composite Target으로 중착된 Mo-Silicide의 형성 및 이에 따른 불순물의 거동 ( Behavior of the Implanted Dopants and Formation of Molybdenum Silicide by Composite Sputtering )
대한전자공학회 학술대회
1992 .01
니켈 코발트 합금조성에 따른 복합실리사이드의 물성 연구
한국재료학회지
2007 .01
Nano-CMOS에서 NiSi의 Dopant 의존성 및 열 안정성 개선
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
희토류 금속을 이용한 니켈 실리사이드의 전기 및 물리적 특성
전기전자재료학회논문지
2008 .01
Poly-Si에 첨가한 도펀트가 Titanium Silicides 형성에 미치는 영향 2 ( Effects of Dopants Introduced into the Poly-Si on the Formation of Ti-Silicides )
전자공학회논문지
1990 .02
Thermal Stability Improvement of the Ni Germano-silicide formed by a novel structure Ni/Co/TiN using 2-step RTP for Nano-Scale CMOS Technology
대한전자공학회 학술대회
2004 .06
Ni/Co/Ni를 적용한 Ni germano-silicide의 열 안정성 개선
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
Dopant가 주입된 poly-Si 기판에서 Ta-silicides의 형성 및 dopant 의 거동에 관한 연구
한국재료학회지
1991 .01
Nano-scale CMOS를 위한 Ni-germano Silicide의 열 안정성 연구
전기전자재료학회논문지
2004 .01
나노급 CMOSFET을 위한 Boron Cluster(B18H22)가 이온 주입된(SOI 및 Bulk)기판에 Ni-V합금을 이용한 Ni-silicide의열안정성 개선
전기전자재료학회논문지
2007 .01
Co/Ni 복합실리사이드의 메탈 콘택 건식식각 안정성 연구
한국재료학회지
2004 .01
고효율 태양전지의 저가화를 위한 Ni/Cu/Ag 전극의 Ni Silicide 형성에 관한 연구
한국태양에너지학회 학술대회논문집
2009 .04
코발트/니켈 적층구조 박막으로부터 형성된 복합실리사이드
한국재료학회지
2004 .01
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