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이용수
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
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100㎚ 이하의 CMOS 소자를 위한 Ni Silicide Technology
대한전자공학회 학술대회
2002 .06
CMOS소자를 위한 Ni Silicide의 Dopant에 따른 영향분석
대한전자공학회 학술대회
2002 .06
Nano CMOS 소자를 위한 Ni-silicide의 Dopant 의존성 분석
전자공학회논문지-SD
2003 .11
Si 기판에 주입된 BF2불순물이 Ti Silicides 형성에 미치는 영향 ( Effects of Implanted BF2 on the Formation of Ti-Silicides )
전자공학회논문지
1990 .12
Cobalt Interlayer 와 TiN capping를 갖는 새로운 구조의 Ni-Silicide 및 Nano CMOS에의 응용
전자공학회논문지-SD
2003 .12
Study of Thermal Stability of Ni Silicide using Ni-V Alloy
Transactions on Electrical and Electronic Materials
2008 .01
Thermal Stability Improvement of the Ni Germano-silicide formed by a novel structure Ni/Co/TiN using 2-step RTP for Nano-Scale CMOS Technology
대한전자공학회 학술대회
2004 .06
니켈 코발트 합금조성에 따른 복합실리사이드의 물성 연구
한국재료학회지
2007 .01
나노급 CMOSFET을 위한 Boron Cluster(B18H22)가 이온 주입된(SOI 및 Bulk)기판에 Ni-V합금을 이용한 Ni-silicide의열안정성 개선
전기전자재료학회논문지
2007 .01
희토류 금속을 이용한 니켈 실리사이드의 전기 및 물리적 특성
전기전자재료학회논문지
2008 .01
Nano-scale CMOS를 위한 Ni-germano Silicide의 열 안정성 연구
전기전자재료학회논문지
2004 .01
Ni/Co/Ni를 적용한 Ni germano-silicide의 열 안정성 개선
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
0.1μm이하 Nano-PMOS를 위한 Ni-silicide에서 capping layer의 효과
대한전자공학회 학술대회
2002 .11
루테늄 첨가에 의한 니켈모노실리사이드의 안정화
한국재료학회 학술발표대회
2007 .01
Formation Temperature Dependence of Thermal Stability of Nickel Silicide with Ni-V Alloy for Nanoscale MOSFETs
대한전자공학회 학술대회
2005 .11
고성능 PMOSFET을 위한 Ni-silicide와 p+ Source/drain 사이의 Barrier Height 감소
전기전자재료학회논문지
2009 .01
Co/Ni 복합실리사이드의 메탈 콘택 건식식각 안정성 연구
한국재료학회지
2004 .01
나노급 CMOSFET을 위한 니켈-코발트 합금을 이용한니켈-실리사이드의 열안정성 개선
전기전자재료학회논문지
2008 .01
고효율 태양전지의 저가화를 위한 Ni/Cu/Ag 전극의 Ni Silicide 형성에 관한 연구
한국태양에너지학회 학술대회논문집
2009 .04
Si 기판에 주입된 Boron , BF2이온이 RTP법에 의한 Titanium-Silicides 형성에 미치는 영향 ( Effects of Boron , BF2 ions Si Substrates for the Titanium-Silicides formation vy RTP method )
대한전자공학회 학술대회
1989 .11
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