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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2006.1
- 수록면
- 1,000 - 1,004 (5page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (2)
2006
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In this paper, thermal stability of Ni-silicide formed on the SOI substrate with B11 has been characterized. The sheet resistance of Ni-silicide on un-doped SOI and B11 implanted bulk substrate was increased after the post-silicidation annealing at 700 ℃ for 30 min. However, in case of B11 implanted SOI substrate, the sheet resistance showed stable characteristics after the post-silicidation annealing up to 700 ℃ for 30 min. The main reason of the excellent property of B11 sample is believed to be the retardation of Ni diffusion by the boron and bottom oxide layer of SOI. Therefore, retardation of Ni diffusion is highly desirable for high performance Ni silicide technology.
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/ 1985. / Redistribution of dopant arsenic during silicide formation 58 (4) : 1505 ~
/ 1994. / Opti- mization of series resistance in Sub-0.2 ㎛ SOI MOSFET´s 15 (9) : 363 ~
/ 1997. / An advanced Ge preamorphization salicide technology for ultra-thin-film SOI CMOS devices 18 (7) : 309 ~
/ 1998. / A comparative study of leakage mechanism of Co and Ni-salicide processes : 363 ~
/ 1998. / Selective deposition of TiSi2 on ultra-thin silicon-on insulator 332 : 412 ~
/ 1994. / Opti- mization of series resistance in Sub-0.2 ㎛ SOI MOSFET´s 15 (9) : 363 ~
/ 1997. / An advanced Ge preamorphization salicide technology for ultra-thin-film SOI CMOS devices 18 (7) : 309 ~
/ 1998. / A comparative study of leakage mechanism of Co and Ni-salicide processes : 363 ~
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