Al-1%Si 과 Ti-Silicide의 반응성에 관한 연구 ( A Study on the Reaction of Al-1%Si with Ti-Silicide )

송영식 ,  백수현 ,  황유상 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1992 .01

Nano CMOS를 위한 Ni-silicide의 source/drain의 As, BF₂에 따른 영향분석

배미숙 ,  지희환 ,  이헌진 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2002 .11

Composite Target으로 증착된 Ti-Silicide의 형성 ( The Formation of Ti-Silicide Deposited With Composite Target )

강성건 ,  송영식 ,  황유상 외 7명

대한전자공학회 학술대회

1991 .11

Poly-Si에 도핑공정변화에 따른 Ti-Silicides 형성반응에 관한 연구 ( The formation of Ti-Silicides with the change of doping process on the poly-Si )

류연수 ,  최진석 ,  백수현

대한전자공학회 학술대회

1988 .11

Ti-실리사이드 형성에 관한 연구 ( A Study on the Ti-Silicide Formation )

김학균 ,  주승기

대한전자공학회 학술대회

1987 .07

Si 기판에 주입된 Boron , BF2이온이 RTP법에 의한 Titanium-Silicides 형성에 미치는 영향 ( Effects of Boron , BF2 ions Si Substrates for the Titanium-Silicides formation vy RTP method )

최석훈 ,  최진석 ,  백수현

대한전자공학회 학술대회

1989 .11

Si기판에 주입된 As이온이 Titanium-Silicides 형성에 미치는 영향 - 1 - ( Effects of As Ions Implanted in Si Substrates on the Titanium-Silicides Formation )

정주혁 ,  최진석 ,  백수현

전자공학회논문지

1989 .06

Ti-실리사이트 형성에 관한 연구

김학균 ,  주승기

대한전기학회 학술대회 논문집

1987 .07

As Ion 주입된 Si 기판위의 native oxide가 RTP법으로 성장시킨 Ti-Silicides의 형성에 미치는 영향

정주혁 ,  최진석 ,  백수현

대한전기학회 학술대회 논문집

1988 .07

As lon주입된 Si 기판위의 native oxide가 RTP 법으로 성장시킨 Ti-Silicides의 형성에 미치는 영향 ( Effects of Native Oxide on Si Substrates-As Ion Implanted on the Formation of Ti-Silicides Grown by RTP Method )

정주혁 ,  최진석 ,  백수현

대한전자공학회 학술대회

1988 .07

Poly-Si에 이온 지입된 dopants가 Ti-Silicides 형성에 미치는 영향 ( Effects of dopants introduced into the poly-Si on the formation of Ti-Silicides )

류연수 ,  최진석 ,  백수현

대한전자공학회 학술대회

1989 .07

Ti Self-Aligned Silicide를 이용한 Contact에서의 전기적 특성

李鐵眞 ,  許允宗 ,  成英權

전기학회논문지

1992 .02

Poly-Si에 첨가한 도펀트가 Titanium Silicides 형성에 미치는 영향 2 ( Effects of Dopants Introduced into the Poly-Si on the Formation of Ti-Silicides )

유윤수 ,  최진석 ,  백수현

전자공학회논문지

1990 .02

Si 기판 위에 Mo-Silicides의 형성과 그 특성에 관한 연구 ( A Study on the Properties and Formation of Mo-Silicides on Si-Substrate )

조한수 ,  조현춘 ,  최진석 외 1명

전자공학회논문지-A

1991 .01

고속열확산에 의한 얕은접합 형성과 Ti- 실리사이드화 된 n⁺-p 다이오드 특성분석

崔度永 ,  李晟旭 ,  朱政奎 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1993 .11

Ta층을 사용한 Ti-silicide의 응집화 방지에 관한 연구

강성건 ,  최진석 ,  황유상 외 3명

한국재료학회 학술발표대회

1992 .01

Nano CMOS 소자를 위한 Ni-silicide의 Dopant 의존성 분석

배미숙 ,  지희환 ,  이헌진 외 5명

전자공학회논문지-SD

2003 .11

Si 기판 위에 형성된 Mo-silicides에 관한 연구 ( A study of Mo-silicides formed on Si-substrate )

조한수 ,  조현춘 ,  최진석 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

Composite Target으로 중착된 Mo-Silicide의 형성 및 이에 따른 불순물의 거동 ( Behavior of the Implanted Dopants and Formation of Molybdenum Silicide by Composite Sputtering )

김호석 ,  백수현 ,  조현춘 외 6명

대한전자공학회 학술대회

1992 .01