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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.1
- 수록면
- 487 - 490 (4page)
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In this paper, the formation and thermal stability characteristics of Ni silicide using Ni-V alloy on Boron cluster (B18H22) implanted bulk and SOI substrate were examined in comparison with pure Ni for nano-scale CMOSFET. The Ni silicide using Ni-V alloy on B18H22 implanted SOI substrate after high temperature post-silicidation annealing showed the lower sheet resistance, no agglomeration interface image and lower surface roughness than that using pure Ni. The thermal stability of Ni silicide was improved by using Ni-V alloy on B18H22 implanted SOI substrate.
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C. Y. Lu / 1989 / Reverse short- channel effects on threshold voltage in submicrometer salicide devices / Electron Device Lett. 10 : 446 ~
H. I. Iwai / 2000 / NiSi salicide technology for scaled CMOS / Microelectron. Eng. 60 : 157 ~
T. H. Yang / 2003 / Study of nikel silicide contact on Si/Si1-xGex / IEEE Electron Device Letters 4 (9) : 544 ~
W. J. Lee / 2006 / Formation and Thermal Stability Characteristics of Ni Silicide on Boron Cluster (B18H22) Implanted Source/ Drain / International Workshop on Junction Technology
H. I. Iwai / 2000 / NiSi salicide technology for scaled CMOS / Microelectron. Eng. 60 : 157 ~
T. H. Yang / 2003 / Study of nikel silicide contact on Si/Si1-xGex / IEEE Electron Device Letters 4 (9) : 544 ~
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