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대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제40권 제12호
발행연도
2003.12
수록면
1 - 9 (9page)

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본 논문에서는 Cobalt interlayer와 TiN capping을 적용한 Ni-Silicide 구조를 제안하여 100 nm CMOS 소자에 적용하고 소자 특성 연구를 하였다. Ni-Silicide의 취약한 열 안정성을 개선하기 위해 열 안정성이 우수한 Cobalt interlayer를 이용하여 silicide의 열화됨을 개선하였고, 또한 silicide 계면의 uniformity를 향상하기 위해 TiN capping을 동시에 적용하였다. 100 nm CMOS 소자에 제안한 Co/Ni/ TiN 구조를 적용하여 700℃, 30분에서의 열처리 시에도 silicide의 낮은 면저항과 낮은 접합 누설 전류가 유지되었으며 100 nm 이하 소자의 특성 변화도 거의 없음을 확인하였다. 따라서 제안한 Co/Ni/TiN 구조가 NiSi의 열 안정성을 개선시킴으로써 100 nm 이하의 Nano CMOS 소자에 매우 적합한 Ni-Silicide 특성을 확보하였다.

목차

요 약

Abstract

Ⅰ. 서 론

Ⅱ. 실 험

Ⅲ. 실험 결과 및 고찰

Ⅳ. 결 론

참 고 문 헌

저 자 소 개

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