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Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
참고문헌
저자소개
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기판 실리콘의 BF₂ 불순물 원자에 의한 TiN/TiSi₂ bilayer의 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1992 .07
불순물이 주입된 Poly-Si / Single-Si 기판에서 TiSi2 형성시 Dopants의 거동 ( The Behavior of Dopants During the Formation of TiSi2 in the Poly-Si/Single-Si Substrate with Implanted Impurities )
대한전자공학회 학술대회
1991 .01
불순물이 주입된 Poly-Si/Single-Si 기판에서 TiSi2 형성시 Dopants의 거동 ( The Behavior off Dopants During the Formation of TiSi2 in the Poly-Si/Single-Si Substrate with Implanted Impurities )
전자공학회논문지-A
1991 .12
SIMS를 이용한 BF⁺₂ 이온주입된 실리콘에서의 불순물 재분포에 대한 연구
대한전자공학회 워크샵
1988 .04
SIMS를 이용한 BF2+ 이온주입된 실리콘에서의 불순물 재분포에 대한 연구
대한전자공학회 워크샵
1988 .01
BF+2 이온 주입된 실리콘 시료의 격자손상과 불순물 농도분포에 대한 연구 ( A Study on the Lattice Damages and Impurity Depth Profiles of BF+2 Ion Implanted Silicon )
전자공학회논문지
1988 .03
BF⁺₂ 이온주입된 실리콘 시료의 격자손상과 불순물 농도분포에 대한 연구
대한전자공학회 워크샵
1988 .04
BF2+ 이온주입된 실리콘 시료의 격자손상과 불순물 농도분포에 대한 연구
대한전자공학회 워크샵
1988 .01
RTA 방법에 의하여 제작한 TiN / TiSi 2 의 특성 분석 ( The Characteristics of TiN / TiSi2 Bilayer on Si by RTA in N2 Ambient )
대한전자공학회 학술대회
1989 .01
Rapid Thermal Anneal 에 의한 TiN / TiSi2 구조 형성에 관한 연구 ( Ⅰ ) ( Characterization of TiN / TiSi2 Structure Formation by a Rapid Thermal Anneal ( Ⅰ ) )
대한전자공학회 학술대회
1991 .07
RAPID THERMAL ANNEAL에 의한 TiN / TiSi₂구조 형성에 관한 연구(Ⅰ)
대한전자공학회 학술대회
1991 .06
2단계 급속열처리에 의한 TiN/TiSi₂ 이중구조막의 특성
전기학회논문지
1992 .12
PVD 방법에 의한 $TiN/TiSi_2$-bilayer 형성
한국재료학회지
1998 .01
TiSi2의 열적 불안전성에 대한 이론적 고찰 및 개선 방안 ( The theoretical study and improvement on agglomeration of TiSi2 )
대한전자공학회 학술대회
1994 .01
Characterization of TiN/TiSi2 System by Two Step Rapid Thermal Anneal
KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING
1992 .01
Characteristics of TiN/TiSi₂ Contact Barrier Layer by Rapid Thermal Anneal in N₂ Ambient
전기학회논문지
1992 .06
Characterization of TiN / TiSi2 Structure Formation by a Rapid Thermal Anneal
ICVC : International Conference on VLSI and CAD
1991 .01
$NH_3$ 분위기에서의 RTA에 의한 TiN/$TiSi_2$ 경합반응에 관한 고찰
한국재료학회 학술발표대회
1992 .01
TiN capping layer을 이용한 Titanium silicide 형성에 관한 연구
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
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