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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제9권 제2호
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 47 - 51 (5page)
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In this paper, thermal stability of Nickel silicide formed on p-type silicon wafer using Ni-V
alloy film was studied. As compared with pure Ni, Ni-V shows better thermal stability. The
addition of Vanadium suppresses the phase transition of NiSi to NiSi₂ effectively. Ni-V single
structure shows the best thermal stability compared with the other Ni-silicide using TiN and
Co/TiN capping layers. To enhance the thermal stability up to 650 ˚C and find out the optimal
thickness of Ni silicide, different thickness of Ni-V was also investigated in this work.
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C.J. Choi / 2004 / Nickel-silicidation process using hydrogen implantation / Electronics Letters 40 (6) : 391 ~
C.Y. Lin / 2002 / Formation of Ni germano-silicide on single crystalline Si/sub 0.3/Ge/sub 0.7/Si / IEEE Electron Device Letters 23 (8) : 464 ~
H. Iwai / 2002 / NiSi salicide technology for scaled CMOS / Microelectron. Eng 60 : 157 ~
Iwai, H. / 2002 / NiSi salicide technology for scaled CMOS / Microelectronic Engineering 60 : 157 ~
J.G. Yun / 2005 / Highly thermal robust NiSi for nanoscale MOSFETs utilizing a novel hydrogen plasma immersion ion implantation and Ni-Co-TIN tri-layer / IEEE Electron Devic
C.Y. Lin / 2002 / Formation of Ni germano-silicide on single crystalline Si/sub 0.3/Ge/sub 0.7/Si / IEEE Electron Device Letters 23 (8) : 464 ~
H. Iwai / 2002 / NiSi salicide technology for scaled CMOS / Microelectron. Eng 60 : 157 ~
Iwai, H. / 2002 / NiSi salicide technology for scaled CMOS / Microelectronic Engineering 60 : 157 ~
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