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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제3호
발행연도
2009.1
수록면
235 - 238 (4page)

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This paper describes the mechanical properties of poly (Polycrystalline) 3C-SiC thin films with N2 in-situ doping. In this work, the poly 3C-SiC film was deposited by APCVD (Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition) method using single-precursor HMDS (Hexamethyildisilane: Si₂(CH₃)6) at 1200 ℃. The mechanical properties of doped poly 3C-SiC thin films were measured by nono-indentation according to the various N₂ flow rate. In the case of 0 sccm N₂ flow rate, Young's Modulus and hardness were obtained as 285 GPa and 35 GPa, respectively. Young's Modulus and hardness were decreased according to increase of N₂ flow rate. The crystallinity and surface roughness was also measured by XRD (X-Ray Diffraction) and AFM (Atomic Force Microscopy), respectively.

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