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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.1
- 수록면
- 606 - 610 (5page)
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This paper describes the Raman scattering characteristics of polycrystalline (poly) 3C-SiC thin films, in which they were deposited on the oxidized Si substrate by APCVD method according to growth temperature. Since the phonon modes were not measured for 0.4 ㎛ thick 3C-SiC, 2.0 ㎛ thick 3C-SiC deposited on the oxidized Si at 1180 ℃, in which TO (transverse optical mode) and LO (longitudinal optical mode) phonon modes were appeared at 794.4 and 965.7 cm-1, respectively. The broad FWHM (full width half maximum) can explain that the crystallinity of 3C-SiC deposited at 1180 oC becomes polycrystalline instead of disorder crystal. Additionally, the ratio of intensity I(LO)/I(TO) 1.0 of 3C-SiC indicates that the crystal disorder of 3C-SiC/SiO2/Si is small. Compared poly 3C-SiC/SiO2 with SiO2/Si interfaces, 1122.6 cm-1 phonon mode was measured which may belong to C-O bonding and two phonon modes, 1355.8 and 1596.8 cm-1 related to D and G bands of C-C bonding in the Raman range of 200 to 2000 cm-1.
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A. C. Ferrari / 2000 / Inter- pretation of Raman spectra of disordered and amorphous carbon / Phys. Rev. B 61 : 14095 ~
A. Jorio / 2002 / Polarized resonant raman study of isolated single-wall carbon nanotubes: symmetry selection rules, dipolar and multipolar antenna effects / Phys. Rev. B 65
C. A. Zorman / 2002 / Silicon carbide for MEMS and NEMS / Proc. IEEE 2 : 1109 ~
D. Gao / 2004 / Recent progress toward a manufacturable polycrystalline SiC surface micromachining technology / IEEE Sensors J. 4 (4) : 441 ~
D. N. Talwar / 1995 / Thermal expansion coefficient of 3C-SiC / Appl. Phys. Lett. 67 (22) : 3301 ~
A. Jorio / 2002 / Polarized resonant raman study of isolated single-wall carbon nanotubes: symmetry selection rules, dipolar and multipolar antenna effects / Phys. Rev. B 65
C. A. Zorman / 2002 / Silicon carbide for MEMS and NEMS / Proc. IEEE 2 : 1109 ~
D. Gao / 2004 / Recent progress toward a manufacturable polycrystalline SiC surface micromachining technology / IEEE Sensors J. 4 (4) : 441 ~
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