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This paper describes the electrical characteristics of polycrystalline (poly) 3C-SiC thin film diodes, in which poly 3C-SiC thin films on n-type and p-type Si wafers, respectively, were deposited by APCVD using HMDS, H2, and Ar gasat 1150o(Vbi), breakdown voltage, thickness of depletion layer, and doping concentration (ND) value were measured as 0.84 V,over 140 V, 61 nm, and 2.7×1019 cm3, respectively. Moreover, for the good ohmic contact, Al/poly 3C-SiC/Si (n-type)structure was annealed at 300, 400, and 50oC, respectively for 30 min under the vacuum condition of 5.0×106 Tor.Finally, the p-n junction diodes fabricated on the poly 3C-Si/Si (p-type) were obtained like characteristics of single 3C-Si fabrication technology.
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/ 1987 / “Epitaxial growth and electric characteristics of cubic SiC on silicon nishi : 4889 ~ 4893
/ 2000 / “Silicon carbide as a new MEMS technology” 3 : 210 ~ 218
/ 2002 / “Evaluation of MEMS materials of construction for implantable medical devices” 23 : 2737 ~ 2750
/ 2003 / “Characterization of residual strain of residual strain in SiC films deposition using 1 3-disliliabutane for MEMS application” 2 : 259 ~ 264
/ 2004 / Single-source chemical vapor deposition of 3C-SiC film in a LPCVD reactor I. Growth structure, and chemical characterization 151 : c210 ~ c214
/ 2000 / “Silicon carbide as a new MEMS technology” 3 : 210 ~ 218
/ 2002 / “Evaluation of MEMS materials of construction for implantable medical devices” 23 : 2737 ~ 2750
/ 2003 / “Characterization of residual strain of residual strain in SiC films deposition using 1 3-disliliabutane for MEMS application” 2 : 259 ~ 264
/ 2004 / Single-source chemical vapor deposition of 3C-SiC film in a LPCVD reactor I. Growth structure, and chemical characterization 151 : c210 ~ c214
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