LPCVD로 성장된 다결정 3C-SiC 박막의 물리적 특성

정귀상; 김강산

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정귀상 김강산

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제8호

발행연도: 2006.1

수록면: 732 - 736 (5page)

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This paper describes the physical characterizations of polycrystalline 3C-SiC thin films heteroepitaxially grown on Si wafers with thermal oxide. In this work, the 3C-SiC film was deposited by LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) method using single precursor 1, 3-disilabutane (DSB: H3Si-CH2-SiH2-CH3) at 850 ℃. The crystallinity of the 3C-SiC thin film was analyzed by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy), XRD (X-ray diffraction) and FT-IR (fourier transform-infrared spectometers), respectively. The surface morphology was also observed by AFM (atomic force microscopy) and voids or dislocations between SiC and SiO2 were measured by SEM (scanning electron microscope). Finally, residual strain was investigated by Raman scattering and a peak of the energy level was less than other type SiC films. From these results, the grown poly 3C-SiC thin film is very good crystalline quality, surface like mirror, and low defect and strain. Therefore, the polycrystalline 3C-SiC is suitable for harsh environment MEMS (Micro-Electro-Mechanical-Systems) applications.

#Polycrystalline 3C-SiC #SiC-MEMS #LPCVD #DSB

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