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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제23권 제8호
발행연도
2010.1
수록면
651 - 654 (4page)

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This paper describes the thermal and mechanical properties of doped thin film 3C-SiC and porous 3C-SiC. In this work, the in-situ doped thin film 3C-SiC was deposited by using atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) method at 120℃ using single-precursor hexamethyildisilane: Si2(CH3)6 (HMDS) as Si and C precursors. 0~40 sccm N2 gas was used as doping source. After growing of doped thin film 3C-SiC, porous structure was achieved by anodization process with 380 nm UV-LED. Anodization time and current density were fixed at 60 sec and 7.1 mA/cm2, respectively. The thermal and mechanical properties of the N2 doped porous 3C-SiC was measured by temperature coefficient of resistance (TCR) and nano-indentation, respectively. In the case of 0 sccm, the variations of TCR of thin film and porous 3C-SiC are similar, but TCR conversely changed with increase of N2 flow rate. Maximum young’s modulus and hardness of porous 3C-SiC films were measured to be 276 GPa and 32 Gpa at 0 sccm N2, respectively.

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