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This paper describes the mechanical characteristics of poly 3C-SiC thin films grown on Si wafers with thermal oxide.HMDS at 1100oC. The elastic modulus and hardness of poly 3C-SiC thin films were measured using nanoindentation.Also, the roughness of surface was investigated by AFM. The resulting values of elastic modulus E, hardness H and theroughness of the poly 3C-SiC film are 305 GPa, 26 GPa and 49.35 nm respectively. The mechanical properties of thegrown poly 3C-SiC film are better than bulk Si wafers. Therefore, the poly 3C-SiC thin film is suitable for abrasion,high frequency and MEMS applications.
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/ 1983 / “Production of large-area single-crystal wafers of cubic SiC for semiconductor devices” nishi : 460 ~ 467
/ 1989 / “Recent developments in SiC” : 2 ~ 12
/ 1992 / “An improved technique for determining hardness and elastic modulus using load and displacement sensing indentation experiments” : 1564 ~ 1583
/ 1992 / “Progress in silicon carbide semiconductor technology” : 495 ~ 505
/ 1994 / “Growth of SiC using hexamethyldisilane in a hydrogen-poor ambient” nishi (rfell) : 1647 ~ 1649
/ 1989 / “Recent developments in SiC” : 2 ~ 12
/ 1992 / “An improved technique for determining hardness and elastic modulus using load and displacement sensing indentation experiments” : 1564 ~ 1583
/ 1992 / “Progress in silicon carbide semiconductor technology” : 495 ~ 505
/ 1994 / “Growth of SiC using hexamethyldisilane in a hydrogen-poor ambient” nishi (rfell) : 1647 ~ 1649
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