극한 환경 MEMS용 옴익 접촉을 위한 다결정 3C-SiC 박막의 표면 처리 효과

정귀상; 온창민

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정귀상 온창민

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제20권 제3호

발행연도: 2007.1

수록면: 234 - 239 (6page)

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This paper describes the TiW ohmic contact characteristics under the surface treatment of the polycrystalline 3C-SiC thin film grown on SiO2/Si(100) wafers by APCVD. The poly 3C-SiC surface was polished by using CMP(chemical mechanical polishing) process and then oxidized by wet-oxidation process, and finally removed SiC oxide layers. A TiW thin film as a metalization process was deposited on the surface treated poly 3C-SiC layer and was annealed through a RTA(rapid thermal annealing) process. TiW/poly 3C-SiC was investigated to get mechanical, physical, and electrical characteristics using SEM, XRD, XPS, AFM, optical microscope, I-V characteristic, and four-point probe, respectively. Contact resistivity of the surface treated 3C-SiC was measured as the lowest 1.2×10-5 Ω㎠ at 900 ℃ for 45 sec. Therefore, the surface treatments of poly 3C-SiC are necessary to get better contact resistance for extreme environment MEMS applications.

#Polycrystalline 3C-SiC #Ohmic contact #TiW #Contact resistivity #MEMS

참고문헌 (13)

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C. Jacob / 1998 / High temperature ohmic contacts to 3C-silicon carbide films / Solid-State Elec. 42 : 2329 ~

G. K. Reeves / 1978 / Specific contact resistance using a circular transmission line model / Solid-State Electron. 23 : 487 ~

G. S. Chung / 2002 / A study on pre-bonding of 3C-SiC wafers of CVD oxide / J. of KIEEME(in Korean) 15 (10) : 883 ~

H. Mank / 2005 / Regrowth of 3C-SiC on CMP treated 3C-SiC/Si epitaxial layers / Materials Sci. Forum 483 : 197 ~

J. I. Noh / 2002 / Effect of surface preparation on Ni ohmic contact to 3C-SiC / Solid-State Elec. 46 : 2273 ~

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