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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.1
- 수록면
- 98 - 102 (5page)
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This paper describes that single crystalline 3C-SiC (cubic silicon carbide) thin films have been deposited on carbonized Si(100) substrates using hexamethyldisilane (HMDS, Si2(CH3)6) as a safe organosilane single precursor and a nonflammable mixture of Ar and H2 gas as the carrier gas by APCVD at 1280℃. The deposition was performed under various conditions to determine the optimized growth condition. The crystallinity of the 3C-SiC thin film was analyzed by XRD (X-ray diffraction). The surface morphology was also observed by AFM (atomic force microscopy) and voids between SiC and Si interfaces were measured by SEM (scanning electron microscopy). Finally, residual strain and hall mobility was investigated by surface profiler and hall measurement, respectively. From these results, the single crystalline 3C-SiC film had a good crystal quality without defects due to viods, a low residual stress, a very low roughness.
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/ 2009 / 한국전력 전력통계속보
C. E. Weitzel / 1996 / Silicon carbide high-power devices / IEEE Trans. Electron. Devices 43 (10) : 1732 ~
M. Zielinski / 2006 / Stress relaxation during the growth of 3C-SiC/Si thin films / J. Appl. Phys 89 : 131906 ~
M.Kitabatake / 2000 / SiC/Si heteroepitaxial growth / Thin Solide Films 369 : 257 ~
N. Nordell / 1995 / Influence of H2 addition and growth temperature on CVD of SiC using hxamethyldisilane and Ar / J. Electrochem. Soc 142 : 565 ~
C. E. Weitzel / 1996 / Silicon carbide high-power devices / IEEE Trans. Electron. Devices 43 (10) : 1732 ~
M. Zielinski / 2006 / Stress relaxation during the growth of 3C-SiC/Si thin films / J. Appl. Phys 89 : 131906 ~
M.Kitabatake / 2000 / SiC/Si heteroepitaxial growth / Thin Solide Films 369 : 257 ~
N. Nordell / 1995 / Influence of H2 addition and growth temperature on CVD of SiC using hxamethyldisilane and Ar / J. Electrochem. Soc 142 : 565 ~
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