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- 학술저널
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- 저널정보
- 한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제9권 제3호
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 101 - 104 (4page)
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The electrical properties and microstructure of nitrogen-doped poly 3C-SiC films were studied according to different thickness. Poly 3C-SiC films were deposited by LPCVD(low pressure chemical vapor deposition) at 900 ˚C and 4 Torr using SiH₂Cl₂ (100 %, 35 sccm) and C₂H₂ (5 % in H₂, 180 sccm) as the Si and C precursors, and NH₃ (5 % in H₂, 64 sccm) as the dopant source gas. The resistivity of the 3C-SiC films with 1,530 A of thickness was 32.7 Ω-cm and decreased to 0.0129 Ω-cm at 16,963 A In XRD spectra, 3C-SiC is so highly oriented along the (1 1 1) plane at 2 θ = 35.7 ˚ that other peaks corresponding to SiC orientations are not presented. The measurement of resistance variations according to different thickness were carried out in the 25 ˚C to 350 ˚C temperature range. While the size of resistance variation decreases with increasing the films thickness, the linearity of resistance variation improved.
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J. Zhang / 2006 / Electrical caracterization of n-type polycrystalline 3C-silicon carbide thin film deposited by 1, 3-disilabutane / J. Electrochem. Soc 153 : 548 ~
J.Y. Seo / 2002 / Growth and microhardness of SiC films by plasmaenhanced chemical vapor deposition / Thin Solid Films 406 : 138 ~
L. Tong / 1992 / Mechanical properties of 3C silicon carbide / Appl. Phys. Lett 60 (24) : 2992 ~
M. Mehregany / 1998 / Silicon carbide MEMS for harsh envoroments / Proceeding of the IEEE 86 (8) : 1594 ~
R. Ziermann / 1998 / High temperature piezoresistive β-SiC-on-SOI pressure sensor with on-chip SiC thermistor / Conf. Pro. ECSCRM’98, Montpellier : 229 ~
J.Y. Seo / 2002 / Growth and microhardness of SiC films by plasmaenhanced chemical vapor deposition / Thin Solid Films 406 : 138 ~
L. Tong / 1992 / Mechanical properties of 3C silicon carbide / Appl. Phys. Lett 60 (24) : 2992 ~
M. Mehregany / 1998 / Silicon carbide MEMS for harsh envoroments / Proceeding of the IEEE 86 (8) : 1594 ~
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