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2008
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This paper describes the mechanical properties of poly(polycrystalline) 3C-SiC thin films with various doping concentration, in which poly 3C-SiC thin film’s mechanical properties according to the n-doping concentration 1(9.2 × 1015 cm−3), 3(5.2×1017 cm−3), and 5 %(6.8×1017 cm−3) respectively were measured by nano indentation. In the case of 9.2×1015 cm−3 n-doping concentration, Young’s modulus and hardness were obtained as 270 and 30 GPa, respectively.
When the surface roughness according to n-doping concentrations was investigated by AFM(atomic force microscope),
the roughness of poly 3C-SiC thin films doped by 5 % concentration was 15 nm, which is also the best of them.
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B. J. Wijesundara / 2003 / Nitrogen doping of polycrystalline 3C-SiC films grown using 1,3-disilabutane in a conventional LPCVD reactor / J. Crystal Growth 259 : 18 ~ 25
J. A. Powell / 1989 / Recent developments in SiC / in Proc. 1st Int. Amorphous and crystalline Silicon Carbide and Related Materials : 2 ~ 12
J. A. Powell / 1992 / Progress in silicon carbide semiconductor technology / in Mmat. Soc.symp. Proc 242 : 495 ~ 505
J. J. Vlassak / 1992 / A new bulge test technique for the determination of Young’s modulus and poission's ratio of thin films / J. Materials Res 7 (7) : 3242 ~ 3249
J. Zhang / 2006 / Electrical characterization of n-type polycrystalline 3CSiC thin films deposited by 1,3-dislabutane / J. Electrochemical Soc 153 : 548 ~ 551
J. A. Powell / 1989 / Recent developments in SiC / in Proc. 1st Int. Amorphous and crystalline Silicon Carbide and Related Materials : 2 ~ 12
J. A. Powell / 1992 / Progress in silicon carbide semiconductor technology / in Mmat. Soc.symp. Proc 242 : 495 ~ 505
J. J. Vlassak / 1992 / A new bulge test technique for the determination of Young’s modulus and poission's ratio of thin films / J. Materials Res 7 (7) : 3242 ~ 3249
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