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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2007.1
- 수록면
- 156 - 161 (6page)
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This paper describes the characteristics of polycrystalline or 3C (cubic)-SiC (silicon carbide) thin films heteroepitaxailly grown on Si wafers with thermal oxide. In this work, the poly 3C-SiC film was deposited by APCVD (atmospheric pressure chemical vapor deposition) method using HMDS (hexamethyildisilane: Si2(CH3)6) single precursor. The deposition was performed under various conditions to determine the optimized growth conditions. The crystallinity of the 3C-SiC thin film was analyzed by XPS (X-ray photoelectron spectroscopy), XRD (X-ray diffraction) and FT-IR (fourier transform-infrared spectometers), respectively. The surface morphology was also observed by AFM (atomic force microscopy) and voids or dislocations between SiC and SiO2 were measured by SEM (scanning electron microscope). Finally, depth profiling was invesigated by GDS (glow discharge spectrometer) for component ratios analysis of Si and C according to the grown 3C-SiC film thickness. From these results, the grown poly 3C-SiC thin film is very good crystalline quality, surface like mirror and low defect. Therfore, the poly 3C-SiC thin film is suitable for extreme environment, Bio and RF MEMS applications in conjunction with Si micromaching.
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C. R. Stoldt / 2002 / A low-temperature CVD process for silicon carbide MEMS / Sensors & Actuators A 97 : 410 ~
D. Gao / 2003 / Characterization of residual strain of residual strain in SiC films deposotion using 1, 3-disliliabutane for MEMS application / J. Microlith., Microfab., Micr
D. Gao / 2004 / Recent progress toward manufacturable polycrystalline SiC surface micromachining technology / IEEE Sensors J. 4 : 441 ~
G. Brauer / 2006 / Characterization of a SiC/SiC composite by x-ray diffraction, atomic force microscopy and positron spectroscopies / Appl. Surf. Sci. 252 (8) : 3342 ~
G. Kotzar / 2002 / Evaluation of MEMS materials of construction for implantable medical devices / Biomaterials 23 : 2727 ~
D. Gao / 2003 / Characterization of residual strain of residual strain in SiC films deposotion using 1, 3-disliliabutane for MEMS application / J. Microlith., Microfab., Micr
D. Gao / 2004 / Recent progress toward manufacturable polycrystalline SiC surface micromachining technology / IEEE Sensors J. 4 : 441 ~
G. Brauer / 2006 / Characterization of a SiC/SiC composite by x-ray diffraction, atomic force microscopy and positron spectroscopies / Appl. Surf. Sci. 252 (8) : 3342 ~
G. Kotzar / 2002 / Evaluation of MEMS materials of construction for implantable medical devices / Biomaterials 23 : 2727 ~
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