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한국태양에너지학회 한국태양에너지학회 학술대회논문집 한국태양에너지학회 2009년도 춘계학술발표대회 논문집
발행연도
2009.4
수록면
230 - 234 (5page)

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It is significant technique to increase competitiveness that solar cells have a high energy conversion efficiency and cost effectiveness. When making high efficiency crystalline Si solar cells, evaporated Ti/Pd/Ag contact system is widely used in order to reduce the electrical resistance of the contact fingers. However, the evaporation process is no applicable to mass production because high vacuum is needed. Furthermore, those metals are too expensive to be applied for terrestrial applications. Ni/Cu/Ag contact system of silicon solar cells offers a relatively inexpensive method of making electrical contact. Ni silicide formation is one of the indispensable techniques for Ni/Cu/Ag contact sysytem. Ni was electroless plated on the front grid pattern, After Ni electroless plating, the cells were annealed by RTP(Rapid Thermal Process). Ni silicide(NiSi) has certain advantages over Ti silicide(TiSi₂), lower temperature anneal, one step anneal, low resistivity, low silicon consumption, low film stress, absence of reaction between the annealing ambient. Ni/Cu/Ag metallization scheme is an important process in the direction of cost reduction for solar cells of high efficiency. In this article we shall report an investigation of rapid thermal silicidation of nickel on silngle crystalline silicon wafers in the annealing range of 350-390℃. The samples annealed at temperatures from 350 to 390℃ have been analyzed by SEM(Scanning Electron Microscopy).
#니켈 규화물(Ni silicide) #니켈 무전해 도금(Ni electroless plating) #전극 (contact) #태양 전지(Solar cell)

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험
3. 실험 결과
4. 결론
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