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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2004.1
- 수록면
- 1,149 - 1,155 (7page)
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In this paper, novel methods for improvement of thermal stability of Ni-germano Silicide were proposed for nano CMOS applications. It was shown that there happened agglomeration and abnormal oxidation in case of Ni-germano Silicide using Ni only structure. Therefore, 4 kinds of tri-layer structure, such as, Ti/Ni/TiN, Ni/Ti/TiN, Co/Ni/TiN and Ni/Co/TiN were proposed utilizing Co and Ti interlayer to improve thermal stability of Ni-germano Silicide.Ti/Ni/TiN structure showed the best improvement of thermal stability and suppression of abnormal oxidation although all kinds of structures showed improvement of sheet resistance. That is, Ti/Ni/TiN structure showed only 11 ohm/sq. in spite of 600 ℃, 30 min post silicidation annealing while Ni-only structure show 42 ohm/sq. Therefore, Ti/Ni/TiN structure is highly promising for nano-scale CMOS technology.
목차
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/ 1986. / Physics and applications of GexSi1-x/Si strained-layer heterostructures : 1696 ~
/ 1991. / A gate-quality di- electric system for SiGe metal-oxide-semi- conductor devices : 246 ~
/ 1991. / Enhancement- mode quantum- well GexSi1-xPMOS 12 : 154 ~
/ 1992. / Enhancement mode n-channel Si/ SiGe MODFET with high intrinsic trans- conductance : 160 ~
/ 1993. / High-mobility p-channel metal- oxide-semiconductor field-effect transistor on strained Si 62 : 2853 ~
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/ 1991. / Enhancement- mode quantum- well GexSi1-xPMOS 12 : 154 ~
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