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자료유형
학술저널
저자정보
송오성 (서울시립대학교 신소재공학과) 범성진 (서울시립대학교 신소재공학과) 김득중 (서울시립대학교 신소재공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제14권 제8호
발행연도
2004.1
수록면
573 - 578 (6page)

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Newly developed silicide materials for ULSI should have the appropriate electrical property of low resistant as well as process compatibility in conventional CMOS process. We prepared $NiCoSi_x$ silicides from 15 nm-Co/15 nm-Ni/Si structure and performed contact dry etch process to confirm the dry etch stability and compatibility of $NiCoSi_x$ layers. We dry etched the photoresist/SiO/silicide/silicon patterns with $CF_4\;and\;CHF_3$ gases with varying powers from 100 to 200 W, and pressures from 45 to 65 mTorr, respectively. Polysilicon and silicon active layers without silicide were etched $0\sim316{\AA}$ during over etch time of 3min, while silicon layers with proposed $NiCoSi_x$ silicide were not etched and showed stable surfaces. Our result implies that new $NiCoSi_x$ silicides may replace the conventional silicides due to contact etch process compatibility.
#contact etch #Co/Ni silicide #composite silicide #etch selectivity #silicide

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