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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2009.1
- 수록면
- 457 - 461 (5page)
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In this paper, barrier height between Ni-silicide and source/drain is reduced utilizing Pd stacked structure (Pd/Ni/TiN) for high performance PMOSFET. It is shown that the barrier height is decreased by Pd incorporation and is dependent on the Pd thickness. Therefore, Ni-silicide using the Pd stacked structure is promising for high performance nano-cale PMOSFET.
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G. P. Lousberg / 2007 / Schottky barrier height lowering by an increase of the substrate doping in PtSi Schottky barrier source/drain FETs / IEEE Electron Device Lett. 28 (2
H. S. Wong / 2007 / Effective schottky barrier height reduction using Sulfur or Selenium at the NiSi/n-Si(100)interface for low resistance contacts / IEEE Electron Device Le
H. S. Wong / 2008 / Low schottky barrier height for silicides on n-type Si(100)by interfacial selenium segregation during silicidation / Appl. Phys. Lett. 93 : 072103 ~
J. G. Yun / 2005 / Highly thermal robust NiSi for nanoscale MOSFETs utilizing a novel hydrogen plasma immersion ion implantation and Ni-Co-TiN tri-layer / IEEE Electron Devic
J. M. Larson / 2006 / Overview and status of metal S/D Schottky-barrier MOSFET technology / IEEE Transactions on Electron Device 53 : 1048 ~
H. S. Wong / 2007 / Effective schottky barrier height reduction using Sulfur or Selenium at the NiSi/n-Si(100)interface for low resistance contacts / IEEE Electron Device Le
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J. G. Yun / 2005 / Highly thermal robust NiSi for nanoscale MOSFETs utilizing a novel hydrogen plasma immersion ion implantation and Ni-Co-TiN tri-layer / IEEE Electron Devic
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