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이용수
이 논문의 연구 히스토리 (4)
1990
연속적 급속열처리법에 의한 재산화질화산화막의 특성 ( Characteristics of Reoxidized-Nitrided-Oxide Films Prepared by Sequential Rapid Thermal Oxidation and Nitridation )
노태문
,
이경수
,
이중환
외 1명
전자공학회논문지
1990.05
학술저널
산화막 및 재산화질화산화막을 적용한 MOSFET의 성능저하 특성 ( Degradation of A MOSFET to Apply Oxide and Reoxidized-Nirided-Oxide to A Gate Dielectric )
노태문
,
이경수
,
남기수
대한전자공학회 학술대회
1990.01
학술대회자료
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금속열처리법에 의한 재산화질화산화막 ( Reoxidized-Nitrided-Oxide Film Formed by Rapid Thermal Processing )
대한전자공학회 학술대회
1989 .01
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급속열처리법에 의한 재산화질화산화막의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of Reoxidized-Nitrided-Oxide Film Fomed by Rapid Theraml Processing )
대한전자공학회 학술대회
1989 .11
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급속 열처리 공정에 의한 초박막 재산화 질화산화막의 유전 특성 ( Dielectrical Characteristics of Ultrathin Reoxidized Nitrided Oxides by Rapid Thermal Process )
한국통신학회논문지
1991 .11
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Electrical Characteristics of Thin Oxide Grown by High-Pressure Oxidation with Rapid Thermal Nitridation
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
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Electrical and Physical Properties of Ultrathin Reoxidized Nitrided Oxide Grown by Rapid Thermal Processing
KITE JOURNAL OF ELECTRONICS ENGINEERING
1990 .01
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급속열질화에 의한 고압산화법으로 성장된 얇은 산화막의 특성개선 ( Improvement of Thin Oxide Grown by High Pressure Oxidation using Rapid Thermal Nitridation )
전자공학회논문지-D
1997 .08
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산화막 및 재산화질화산화막의 MOS 캐패시터와 MOSFET의 신뢰성 ( Reliability of MOS Capacitors and MOSFET`s with Oxide and Reoxidized-Nitrided-Oxide as Gate Insulators )
전자공학회논문지-A
1993 .11
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급속 열처리에 의한 SiO2의 질화 ( Rapid Thermal Nitridation of SiO2 )
전자공학회논문지
1990 .05
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재산화 질화산화막의 기억트랩 분석과 프로그래밍 특성
전기전자재료학회논문지
2002 .01
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산화막 및 재산화질화산화막을 적용한 MOSFET의 성능저하 특성 ( Degradation of A MOSFET to Apply Oxide and Reoxidized-Nirided-Oxide to A Gate Dielectric )
대한전자공학회 학술대회
1990 .01
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재산화된 질화 산화막을 게이트 절연막으로 사용한 MOSFET의 특성 ( The Characteristics of MOSFET with Reoxidized Nitrided Oxide Gate Dielectrics )
전자공학회논문지-A
1991 .09
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급속 열처리 시스템의 개발 및 응용 ( Development and Application of Rapid Thermal Process System )
전자공학회논문지
1988 .09
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급속 열처리 시스템의 개발 및 응용 ( Development & Application of rapid thermal process system )
대한전자공학회 학술대회
1987 .11
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급속열산화법에 의한 실리콘 산화막의 특성 ( Characteristics of Silicon Oxide Films Grown by Rapid Thermal Oxidation )
전자공학회논문지-A
1991 .12
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급속 열처리 시스템 제작 및 실리콘 산화막 성장 ( Fabrication of Rapid Thermal Process System and Silicon Oxidation )
대한전자공학회 학술대회
1987 .11
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Rapid Thermal Nitridation Effets on Ultrathin Oxides Grown by High Presure Oxidation for ULSI Device Applications
대한전자공학회 학술대회
1997 .01
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ONO 박막을 게이트 절연막으로 사용한 MOSFET의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of MOSFET with Reoxidized Nitrided Oxide Gate-Dielectrics )
대한전자공학회 학술대회
1991 .01
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고압산화법으로 성장된 얇은 산화막의 열질화 효과
대한전자공학회 학술대회
1996 .11
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