재산화된 질화 산화막을 게이트 절연막으로 사용한 MOSFET의 특성 ( The Characteristics of MOSFET with Reoxidized Nitrided Oxide Gate Dielectrics )

양광선 ,  박훈수 ,  김봉렬

전자공학회논문지-A

1991 .09

산화막 및 재산화질화산화막의 MOS 캐패시터와 MOSFET의 신뢰성 ( Reliability of MOS Capacitors and MOSFET`s with Oxide and Reoxidized-Nitrided-Oxide as Gate Insulators )

노태문 ,  이경수 ,  유병곤 외 1명

전자공학회논문지-A

1993 .11

ONO 박막을 게이트 절연막으로 사용한 MOSFET의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of MOSFET with Reoxidized Nitrided Oxide Gate-Dielectrics )

조성천 ,  양광선 ,  박훈수 외 1명

대한전자공학회 학술대회

1991 .01

박막 게이트 산화막의 열화에 의해 나타나는 MOSFET의 특성 변화

이재성 ,  이원규

대한전자공학회 학술대회

2003 .07

MOSFET에서 Gate Oxide층의 교류 절연파괴 특성

박정구 ,  송정우 ,  고시현 외 4명

대한전기학회 학술대회 논문집

1999 .11

An Analytical Model for the Effect of Graded Gate Oxide in MOSFET`s

김종식 ,  서광석

대한전자공학회 학술대회

1996 .01

시뮬레이션을 통한 MOSFET 산화막 내부트랩의 영향 비교분석

이현슬 ,  유성원 ,  서영수 외 5명

대한전자공학회 학술대회

2015 .06

전력 MOSFET

崔然益

전기의세계

1985 .05

Buried-Oxide MOSFET 제작 ( Fabrication of a Buried-Oxide Mosfet )

오춘식 ,  김충기 ,  경종민

대한전자공학회 학술대회

1983 .01

금속열처리법에 의한 재산화질화산화막 ( Reoxidized-Nitrided-Oxide Film Formed by Rapid Thermal Processing )

이경수 ,  이중환 ,  노태문 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1989 .01

Gate Oxide Thickness Dependence of Hot Carrier Degradation in n- and p-MOSFET's with NO-nitrided Gate Oxide under DC and AC Stresses

金正圭

전기학회논문지

1998 .03

전력 MOSFET 소자의 γ선 영향

손주형 ,  김재환 ,  노영환

제어로봇시스템학회 각 지부별 자료집

2004 .11

비대칭 MOSFET 소자에서 gate oxide의 re-oxidation process의 공정방법 및 효과

김장현 ,  김현우 ,  권민우 외 1명

대한전자공학회 학술대회

2012 .06

이중 확산 MOSFET의 C-V 특성

배동건 ,  정상구 ,  최한묵 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .12

이중 확산 MOSFET의 C-V특성 ( C-V Characteristics of Double diffused MOSFET )

최한묵 ,  배동건 ,  정상구 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1986 .01

전력 MOSFET

김종오

전기의세계

1988 .05

차세대 sub-0.1μm급 MOSFET 소자용 고유전율 게이트 박막

황현상

대한전자공학회 학술대회

2000 .06

Si_1-xGe_x p-MOSFET 단채널효과의 해석학적 모델

남성진 ,  정윤하

대한전자공학회 학술대회

1995 .12

I 형 게이트 내방사선 n-MOSFET 구조 설계 및 특성분석

이민웅 ,  조성익 ,  이남호 외 2명

한국정보통신학회논문지

2016 .10

MOSFET의 1/F 잡음에 관한 실험적 고찰

김응동

대한전자공학회 학술대회

1994 .01