지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 1993.11
- 수록면
- 937 - 944 (8page)
이용수
이 논문의 연구 히스토리 (4)
1990
연속적 급속열처리법에 의한 재산화질화산화막의 특성 ( Characteristics of Reoxidized-Nitrided-Oxide Films Prepared by Sequential Rapid Thermal Oxidation and Nitridation )
노태문
,
이경수
,
이중환
외 1명
전자공학회논문지
1990.05
학술저널
산화막 및 재산화질화산화막을 적용한 MOSFET의 성능저하 특성 ( Degradation of A MOSFET to Apply Oxide and Reoxidized-Nirided-Oxide to A Gate Dielectric )
노태문
,
이경수
,
남기수
대한전자공학회 학술대회
1990.01
학술대회자료
- 이 논문의 후속연구가 궁금하신가요?
- 연관 학술논문 또는 학술발표를 통해 보다 발전된 연구결과를 확인하실 수 있습니다.
- 이 논문의 연구 히스토리 확인하기
초록· 키워드
오류제보하기
등록된 정보가 없습니다.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (0)
참고문헌 신청함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
N2O 산화막을 갖는 MOS 캐패시터의 전기적 및 신뢰성 특성 ( Electrical and Reliability properties of MOS Capacitors with N2O oxides )
전자공학회논문지-A
1994 .06
-
산화막 및 재산화질화산화막을 적용한 MOSFET의 성능저하 특성 ( Degradation of A MOSFET to Apply Oxide and Reoxidized-Nirided-Oxide to A Gate Dielectric )
대한전자공학회 학술대회
1990 .01
-
재산화된 질화 산화막을 게이트 절연막으로 사용한 MOSFET의 특성 ( The Characteristics of MOSFET with Reoxidized Nitrided Oxide Gate Dielectrics )
전자공학회논문지-A
1991 .09
-
자기 정렬된 Mo2N/Mo 게이트 MOSFET의 제조 및 특성 ( Fabrication of Self-Aligned Mo2N/Mo-Gate MOSFET and Its Characteristics )
전자공학회지
1984 .11
-
자기 정렬된 Mo2N / Mo 게이트 MOSFET의 제조 및 특성 ( Fabrication of Self-Aligned Mo2N / Mo-Gate MOSFET and Its Characteristics )
대한전자공학회 학술대회
1984 .01
-
ONO 박막을 게이트 절연막으로 사용한 MOSFET의 전기적 특성 ( Electrical Characteristics of MOSFET with Reoxidized Nitrided Oxide Gate-Dielectrics )
대한전자공학회 학술대회
1991 .01
-
금속열처리법에 의한 재산화질화산화막 ( Reoxidized-Nitrided-Oxide Film Formed by Rapid Thermal Processing )
대한전자공학회 학술대회
1989 .01
-
MOSFET에서 Gate Oxide층의 교류 절연파괴 특성
대한전기학회 학술대회 논문집
1999 .11
-
An Analytical Model for the Effect of Graded Gate Oxide in MOSFET`s
대한전자공학회 학술대회
1996 .01
-
박막 게이트 산화막의 열화에 의해 나타나는 MOSFET의 특성 변화
대한전자공학회 학술대회
2003 .07
-
시뮬레이션을 통한 MOSFET 산화막 내부트랩의 영향 비교분석
대한전자공학회 학술대회
2015 .06
-
전력 MOSFET
전기의세계
1985 .05
-
Buried-Oxide MOSFET 제작 ( Fabrication of a Buried-Oxide Mosfet )
대한전자공학회 학술대회
1983 .01
-
연속적 급속열처리법에 의한 재산화질화산화막의 특성 ( Characteristics of Reoxidized-Nitrided-Oxide Films Prepared by Sequential Rapid Thermal Oxidation and Nitridation )
전자공학회논문지
1990 .05
-
동작속도가 빠른 Mo2N/Mo 게이트 MOS 집적회로 ( High Speed Mo2N/Mo-Gate MOS Integrated Circuit )
전자공학회지
1985 .07
-
Measurement of Interface Trapped Charge Densities (Dit) in 6H-SiC MOS Capacitors
ICEIC : International Conference on Electronics, Informations and Communications
2004 .08
-
전력 MOSFET 소자의 γ선 영향
제어로봇시스템학회 각 지부별 자료집
2004 .11
-
비대칭 MOSFET 소자에서 gate oxide의 re-oxidation process의 공정방법 및 효과
대한전자공학회 학술대회
2012 .06
-
급속 열처리 공정에 의한 초박막 재산화 질화산화막의 유전 특성 ( Dielectrical Characteristics of Ultrathin Reoxidized Nitrided Oxides by Rapid Thermal Process )
한국통신학회논문지
1991 .11
-
전력 MOSFET
전기의세계
1988 .05
이 논문의 저자 정보
이 논문과 함께 이용한 논문
라이시안 페이딩 채널에서의 주파수-도약 대역-확산 다중 접속 네트워크의 성능
박민철
,
설창규
,
전경훈
한국통신학회 학술대회논문집
2008
.11
제일 원리 사용 Y-doped SrTiO3 연료극 특성 이해 및 3d 전위 금속 치환에 의한 표면 반응성 제어
함형철
,
김희수
,
김용민
외 4명
한국진공학회 학술발표회초록집
2012
.08
Partitioned SIMD 구조를 이용한 병렬 FFT의 구현
김우진
,
김기철
,
노태문
대한전자공학회 학술대회
2007
.05
영상분할 및 Haar-like 특징 기반 자동차 검출
최미순
,
이정환
,
석정희
외 2명
멀티미디어학회논문지
2010
.09
시공간 M-ary 직교 Walsh 수열 변조
김정창
,
전경훈
전자공학회논문지-TC
2009
.03
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-569-013271260