Microstructural Analysis of Directionally Solidified Materials Obtained via Line-Scan SLS of Si Films

Chung, U.J.; Limanov, A.B.; Wilt, P.C. Van Der; Chitu, A.M.; Im, James S.

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저자정보: Chung, U.J. (Program in Materials Science and Engineering, Department of Applied Physics and Applied Mathematics, Columbia University) Limanov, A.B. (Program in Materials Science and Engineering, Department of Applied Physics and Applied Mathematics, Columbia University) Wilt, P.C. Van Der (Program in Materials Science and Engineering, Department of Applied Physics and Applied Mathematics, Columbia University) Chitu, A.M. (Program in Materials Science and Engineering, Department of Applied Physics and Applied Mathematics, Columbia University) Im, James S. (Program in Materials Science and Engineering, Department of Applied Physics and Applied Mathematics, Columbia University)

저널정보: 한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display

발행연도: 2006.1

수록면: 1,744 - 1,749 (6page)

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Line-scan SLS of thin Si films permits the attainment of low-defect-density Si films with a directionally solidified microstructure. This paper deals with: (1) identifying and examining the structural defects that are found in the resultant material, (2) how the spatial variations in the type and density of the observed defects may potentially affect the overall uniformity of the resulting devices, and (3) some technical options that may be applied in order to potentially alleviate the situation.

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Chitu, A.M.

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Im, James S.

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