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자료유형
학술대회자료
저자정보
Turk, B.A. (Program in Materials Science, Columbia University) Wilt, P.C. var der (Program in Materials Science, Columbia University) Limanov, A.B. (Program in Materials Science, Columbia University) Chitu, A.M. (Program in Materials Science, Columbia University) Im, J.S. (Program in Materials Science, Columbia University)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
발행연도
2003.1
수록면
245 - 247 (3page)

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We have previously shown that single-crystal Si regions on glass substrates can be obtained by crystallizing as-deposited a-Si films using a specific version of the SLS process, referred to as dot-SLS Such single-crystal islands can, for instance, be used for manufacturing of high-performance TFTs that are expected to become increasingly more relevant in the future. In this paper, we demonstrate that the dot-SLS process can be implemented using a continuous-scan SLS scheme that enables the attainment of high crystallization rates that are desired for industrial applications. We will furthermore report on recent experimental findings regarding the nature of the defects that can be created during the process.

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