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자료유형
학술저널
저자정보
Lee, Sang-Jin (LG.Philips LCD Inc. LG R&D Center, Member, KIDS) Yang, Joon-Young (LG.Philips LCD Inc. LG R&D Center) Hwang, Kwang-Sik (LG.Philips LCD Inc. LG R&D Center) Yang, Myoung-Su (LG.Philips LCD Inc. LG R&D Center, Member, KIDS) Kang, In-Byeong (LG.Philips LCD Inc. LG R&D Center, Member, KIDS)
저널정보
한국정보디스플레이학회 Journal of information display Journal of information display 제8권 제4호
발행연도
2007.1
수록면
15 - 18 (4page)

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In this paper, we investigated the SLS process to control grain boundary(GB) location in TFT channel region, and it has been found to be applicable for locating the GB at the same location in the channel region of each TFT. We fabricated TFT by applying a new alignment SLS process and compared the TFT characteristics with a normal SLS method and the grain boundary location controlled SLS method. Also, we have analysed degradation phenomena under hot carrier stress conditions for n-type LDD MOSFETs.
#Poly-Si #SLS crystallization #Grain boundary

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