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자료유형
학술대회자료
저자정보
Lee, S.J. (LG.Philips LCD Inc.) Yang, J.Y. (LG.Philips LCD Inc.) Hwang, K.S. (LG.Philips LCD Inc.) Yang, M.S. (LG.Philips LCD Inc.) Kang, I.B. (LG.Philips LCD Inc.)
저널정보
한국정보디스플레이학회 한국정보디스플레이학회 International Meeting 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
발행연도
2007.1
수록면
16 - 19 (4page)

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In this paper, we present work that has been carried out using the SLS process to control grain boundary(GB) location in TFT channel region and it is possible to locate the GB at the same location in the channel region of each TFT. We fabricated TFT by applying a new alignment SLS process and compared the TFT characteristics with a normal SLS method and the grain boundary location controlled SLS method. Also, we have analyzed degradation phenomena under hot carrier stress conditions for n-type LDD MOSFETs.

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