MBE법으로 InP 기판위에 성장한 InAlAs 에피층의 특성에 대한 성장온도의 효과

우용득; 김문덕

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자료유형: 학술저널

저자정보: 우용득 김문덕

저널정보: 한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제12권 제4호

발행연도: 2003.12

수록면: 251 - 256 (6page)

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분자선에피탁시법을 이용하여 InP(001) 기판위에 성장한 InAlAs 에피층의 특성에 대한 성장온도 (370-430 ℃)의 효과를 Normalski 현미경, 원자력현미경 (AFM), 광발광 (PL), 이중결정 x-선 회절법 (DCXRD)을 사용하여 분석하였다. InAlAs 에피층의 표면형상, 구조적, 광학적 특성은 370-400 ℃에서 성장한 시료에서는 성장온도의 증가로 향상되지만, 430 ℃로 성장한 시료에서는 특성이 나빠졌다. 결과적으로 400 ℃로 성장한 InAlAs 에피층의 특성이 가장 우수하였다.

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