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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제4호
발행연도
1998.11
수록면
328 - 333 (6page)

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저압 유기금속 화학증착법을 이용하여 (001) InP 기판 위에 격자 일치된 InAlAs 에피층을 성장하여 성장 조건에 따른 물성의 변화를 분석하였고, InGaAs/InAlAs 단일 양자우불구조와 다중 양자우물구조를 성장하였다 . InAlAs 에피층 성장 결과 620~700℃ 범위에서 성장 온도가 증가할수록 산소 유입량의 감소 때문으로 생각되는 광학적 성질의 향상이 관찰되었으나 750℃ 이상의 고온에서는 InP 완충층의 열화에 의한 결정성의 감소가 발견되었다. 또한, AsH₃의 유량이 증가됨에 따라 성장된 InAlAs층의 Al 함유량이 증가하는 현상이 관찰되었고, 이는 Al-As와 In-As의 bond strength 차이로 설명하였다. InGaAs/InAlAs 단일 양자우물구조에서 측정된 우물두께에 따른 photoluminescence peak energy는 계산 값과 잘 일치하였고, high resolution x-ray diffraction 측정을 통하여 뚜렷한 satellite peak와 fine thickness fringe들이 관찰되는 우수한 계면특성을 가지는 다중 양자우물구조가 성장됨을 확인하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 논의

4. 결론

참고문헌

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