InGaAs/InAlAs 양자우물구조의 발광특성에 대한 In_0.4Al_0.6As 버퍼층 성장온도의 영향

김희연 ,  류미이 ,  임주영 외 3명

Applied Science and Convergence Technology

2011 .11

InGaAs/InAlAs Quantum Cascade Lasers Grown by using Metal-organic Vapor-phase Epitaxy

Dong Hak Kim ,  Hae Yong Jeong ,  Young Su Choi 외 4명

Applied Science and Convergence Technology

2017 .09

저압 유기금속 화학증착법을 이용한 InAlAs 에피층과 InGaAs / InAlAs 양자 우물 구조의 성장과 분석

유경란 ,  문영부 ,  이태완 외 1명

Applied Science and Convergence Technology

1998 .11

The measurement of In composition in InGaAs / InAlAs / InP P - HEMT structure grown by MBE

이혜권 ,  홍상기 ,  이재진 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

1996 .02

Terahertz Characteristics of InGaAs with Periodic InAlAs Insertion Layers

Dong Woo Pa ,  k ,  Jin Soo Kim 외 4명

Applied Science and Convergence Technology

2018 .11

MBE에 의한 InGaAs / InAlAs / InP 격자정합 에피택셜층 성장연구

이재진 ,  이해권 ,  노동완 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

1995 .02

Terahertz Detection Characteristics of Low-Temperature Grown InGaAs/InAlAs Multi Quantum Well

박동우 ,  한임식 ,  김창수 외 6명

한국진공학회 학술발표회초록집

2013 .02

MBE법으로 InP 기판위에 성장한 InAlAs 에피층의 특성에 대한 성장온도의 효과

우용득 ,  김문덕

Applied Science and Convergence Technology

2003 .12

Terahertz Generation and Detection Using InGaAs/InAlAs Multi Quantum Well

박동우 ,  한임식 ,  노삼규 외 6명

한국진공학회 학술발표회초록집

2013 .08

Dielectric Induced Interdiffusion of InGaAs / InAlAs Multi - Quantum Wells by Two Step Rapid Thermal Annealing

유경란 ,  문영부 ,  이태완 외 1명

한국진공학회 학술발표회초록집

1998 .07

0.1㎛ InGaAs/InAlAs Metamorphic High Electron Mobility Transistor(MHEMT)에서의 온도에 따른 수송 현상 분석

강수현 ,  이소형 ,  김용민 외 7명

한국진공학회 학술발표회초록집

2008 .02

Terahertz Characteristics of InGaAs/InAlAs MQW with Different Excitation Laser Source

박동우 ,  노삼규 ,  지영빈 외 5명

한국진공학회 학술발표회초록집

2014 .02

GaAs 기판 위에 성장한 In_0.5Ga_0.5As/In_0.5Al_0.5As 다중양자우물의 광학적 특성에 대한 In_0.5Al_0.5As 버퍼층 성장온도의 영향

김희연 ,  오현지 ,  안상우 외 5명

Applied Science and Convergence Technology

2010 .05

100 ㎚ T-gate의 InGaAs/InAlAs/GaAs metamorphic HEMT 소자 제작 및 특성에 관한 연구

김형상 ,  신동훈 ,  김순구 외 3명

Applied Science and Convergence Technology

2006 .11

Comparison of Quantum Wells based on InGaAs(P)/InP and InGa(Al)As/InAlAs Material Systems in View of Carrier Escape Times for High-Saturation-Optical-Power Electroabsorption Modulators

Kangbaek Kim ,  Dong-Soo Shin

Current Optics and Photonics

2007 .09

InAlAs/AlGaAs을 이용한 808 ㎚ 대역 양자점 성장

김수연 ,  송진동 ,  이은혜 외 3명

한국진공학회 학술발표회초록집

2010 .02

Raman Study of Individual InGaAs Nanowires

김한울 ,  노희석 ,  이은혜 외 2명

한국진공학회 학술발표회초록집

2012 .08

인장과 휨변형하에서 목재의 응력이완 및 이론모형

장상식 ,  강춘원

목재공학(Journal of the Korean Wood Science and Technology)

1998 .01

Surface Relaxation of Aluminum

You Yong Cha ,  Wone Keun Han

한국진공학회 학술발표회초록집

2000 .02