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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제8권 제3(2)호
발행연도
1999.8
수록면
290 - 296 (7page)

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LP-MOCVD 방법에 의해 InP 기판 위에 성장된 InAlAs 에피층의 상분리와 규칙 현상을 DCXRD, PL, TEM을 이용하여 분석하였다. DCXRD와 PL의 반측폭과 강도로부터 InAlAs 에피층의 구조적, 광학적 품질이 성장 온도가 증가함에 따라 향상되었다. 상분리와 규칙 현상으로 인한 밴드갭의 감소량은 565℃, 615℃, 700℃의 성장 온도에서 각각 291, 246, 28 meV이고 구조적, 광학적 품질과 같은 경향성을 보여주었다. TEM으로부터 상분리 현상은 565℃의 성장 온도에서 가장 강하게 관찰되었고, HRTEM 이미지 사진에서 InAs가 풍부한 영역과 AlAs가 풍부한 영역 사이에 조성 차이로 인하여 약 2˚의 격자 줄무늬의 회전이 발생하였다. 565℃에서 성장된 시편에 대한 RTA 열처리 실험은 880℃에서 3분간의 열처리로 약 78 meV 정도의 밴드갭 증가를 보여주고, TEM을 통해 밴드갭의 증가는 규칙 현상의 완전한 사라짐이라는 것이 관찰되었다. 이 결과는 열처리 전에 발생한 밴드갭 감소량의 3/4가 상분리 현상으로 발생하였다는 결론을 얻을 수 있다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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