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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제6권 제1호
발행연도
1997.2
수록면
61 - 68 (8page)

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In/PCl₃/H₂계 chloride VPE법을 이용하여 반절연(semi-insulating) Fe-doped InP 기판위에 undoped InP 에피층을 성장시켜 에피층(epilayer) 성장시 중요한 변수인 성장온도와 PCl₃/H₂ 몰비가 에피층 성장에 미치는 영향을 조사하였다. 성장온도를 620℃에서 650℃까지 변화시켰고, PCl₃/H₂ 몰비는 2.5×10^(-2)에서 4.5×10^(-2)까지 변화시켰다. 성장온도가 640℃이고 PCl₃/H₂ 몰비가 3.0 ×10^(-2)에서 표면결함이 최소가 되었고, PCl₃/H₂ 몰비가 증가할수록 표면결함이 증가하는 경향을 나타내었다. photoluminescence(PL), Hall, electrochemical capacitance-voltage(ECV) 측정을 통해 모든 undoped InP 에피층의 상온 이동자 농도가 1×10¹⁴㎝^(-3)보다 이하인 것을 확인하였고, four point probe method를 이용하여 측정한 비저항(resistivity)은 성장온도가 640℃, PCl₃/H₂ 몰비가 3.0×10^(-2)에서 3.0×10^6Ω㎝으로 가장 높은 값을 보였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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