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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.11
- 수록면
- 449 - 455 (7page)
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In<SUB>0.4</SUB>Al<SUB>0.6</SUB>As 버퍼층의 성장온도 변화에 따른 In<SUB>0.5</SUB>Ga<SUB>0.5</SUB>As/In<SUB>0.5</SUB>Al<SUB>0.5</SUB>As 다중양자우물(multiple quantum wells, MQWs)의 광학적 특성을 포토루미네션스(photoluminescence, PL)와 시간분해 포토루미네션스(time-resolved PL, TRPL) 측정을 이용하여 분석하였다. In<SUB>0.4</SUB>Al<SUB>0.6</SUB>As 버퍼층은 기판의 온도를 320℃에서 580℃까지 다양하게 변화시키며 1 μm 성장하였으며, 그 위에 In<SUB>0.5</SUB>Al<SUB>0.5</SUB>As 층을 480℃에서 1 μm 성장한 후 InGaAs/InAlAs MQWs을 성장하였다. MQWs는 6-nm, 4-nm, 그리고 2.5-nm 두께의 In<SUB>0.5</SUB>Ga<SUB>0.5</SUB>As 양자우물과 10-nm 두께의 In<SUB>0.5</SUB>Al<SUB>0.5</SUB>As 장벽으로 이루어졌다. 4-nm QW과 6-nm QW로부터 PL 피크가 나타났으나, In<SUB>0.4</SUB>Al<SUB>0.6</SUB>As 성장온도 변화가 가장 큰(320℃에서 580℃까지 변화) 시료는 6-nm QW에서의 PL 피크만 나타났다. 낮은 온도(320℃에서 480℃까지 변화)에서 성장한 In<SUB>0.4</SUB>Al<SUB>0.6</SUB>As 버퍼층 위에 성장한 MQWs의 PL 특성이 우수하게 나타났다. 발광파장에 따른 TRPL 결과로 4-nm QW과 6-nm QW에서의 캐리어 소멸시간을 얻었다.
목차
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 실험방법
Ⅲ. 결과 및 논의
Ⅳ. 결론
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