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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제15권 제6호
발행연도
2006.11
수록면
637 - 641 (5page)

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본 논문에서는 100 ㎚ 게이트 길이를 갖는 InGaAs/InAlAs/GaAs MHEMT(metamorphic high electron mobility transistors)m의 DC와 RF 특성을 분석 하였다. 이중 노광 방법으로 ZEP520/P(MMA-MAA)/ PMMA 3층 구조의 레지스터와 게이트 길이 100 ㎚인 T-게이트를 제작하였다. 게이트의 단위 폭이 70 m인 2개의 게이트와 길이가 100 ㎚로 제작된 MHEMT를 DC 및 RF특성을 조사하였다. 최대 드레인 전류 밀도는 465 ㎃/㎜, 상호전달 컨덕턴스는 844 mS/㎜이, RF 측정으로부터 전류 이득 차단 주파수는 192 ㎓와 최대 진동주파수 310 ㎓인 특성을 보였다.
#MHEMT #T-게이트 #e-beam 장치 #ZEP520 #차단주파수 #T-gate #e-beam lithography #Cut-off frequency

목차

Ⅰ. 서론
Ⅱ. MHEMT 구조와 제작
Ⅲ. 소자의 측정 및 특성
Ⅳ. 결론
감사의 글
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