메뉴 건너뛰기
.. 내서재 .. 알림
소속 기관/학교 인증
인증하면 논문, 학술자료 등을  무료로 열람할 수 있어요.
한국대학교, 누리자동차, 시립도서관 등 나의 기관을 확인해보세요
(국내 대학 90% 이상 구독 중)
로그인 회원가입 고객센터 ENG
주제분류
인문학
인문학 일반 역사학 철학 종교학 어문학 기타 인문학
사회과학
사회과학 일반 경영학 관광학 교육학 군사학 문헌정보학 법학 사회학 신문방송학 심리과학 정치외교학 지리학 행정학 경제학 무역학 인류학 기타 사회과학
자연과학
자연과학 일반 물리학 생물학 생활과학 수학·통계학 천문학 지구과학 화학 기타 자연과학
공학
공학 일반 건축공학 기계공학 산업공학 재료·에너지공학 전기전자공학 조선해양공학 화학공학 컴퓨터학 기타공학
의약학
의학 일반 간호학 수의학 약학 한의학 기초의학 임상의학 기타 의약학
농수해양학
농수해양학 일반 농학 수산학 식품과학 임학 축산학 해상운송학 기타 농수해양학
예술체육학
예술 일반 디자인 미술 미용 사진 음악학 의상 체육 공연매체예술 기타 예술체육학
복합학
학제간연구 과학기술학 뇌인지과학 기술정책 기타 복합학

ENG

추천
검색
질문

논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제5권 제2호
발행연도
1996.6
수록면
127 - 132 (6page)

이용수

표지
📌
연구주제
📖
연구배경
🔬
연구방법
🏆
연구결과
AI에게 요청하기
추천
검색
질문

초록· 키워드

오류제보하기
반절연성 GaAs(100) 위에 Molecular Beam Epitaxy(MBE)법으로 In의 조성을 0.02으로 일정하게 하여 성장시킨 In_xGa_(1-x)As/GaAs의 photoreflectance(PR) 스펙트럼 특성을 측정하였다. 기판과 에피층의 PR 신호가 분리되어 관측되었으며, 띠간격 에너지 (E。)는 약 1.40eV로써 Pan의 식에 fitting한 결과 약 8meV의 차이가 생겼다. 이는 에피층과 기판의 격자부정합(lattice mismatch)으로 인해 파생되는 계면에서의 응력 (stress)이 그 요인으로 이것이 시료 성장시 결정성에 영향을 미치고 있음을 확인할 수 있었다. 또한, ln_(0.02)Ga_(0.98)As 에피층은 온도 의존도가 낮고 광흡수 효율이 크며 200K 이상의 온도에서 활성화되는 것으로 분석되었고, 성장 온도보다 낮은 온도 400℃로 열처리시킨 경우에 PR 신호 분리가 가장 뚜렷하였으며, 이때 결정성 또한 향상됨을 알았다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험 방법

3. 실험 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

참고문헌 (0)

참고문헌 신청
참고문헌이 DBpia에서 서비스 중이라면, [참고문헌 신청]을 통해 등록해보세요

함께 읽어보면 좋을 논문

논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!

이 논문의 저자 정보

이 논문과 함께 이용한 논문

MBE법으로 InP 기판위에 성장한 InAlAs 에피층의 특성에 대한 성장온도의 효과
우용득 ,  김문덕 Applied Science and Convergence Technology 2003 .12
전력 반도체 응용을 위한 HVPE법에 의한 Ga₂O₃ 에피성장에 관한 연구
강이구 전기전자학회논문지 2018 .06
MBE성장에 의한 Ⅱ-Ⅵ/Ⅲ-Ⅴ 헤테로접합 태양전지에 관한 연구
이홍찬 ,  이상태 ,  안병원 외 1명 한국마린엔지니어링학회 학술대회 논문집 2003 .10
광소자용 미소렌즈 제작을 위한 GaAs/AlGaAs 계 액상식각 및 에피택시 ( LPE Meltback - Etch and Re - epitaxy of GaAs/AlGaAs for Optical Micro-lense Fabrication )
함성호 ,  권영세 전자공학회논문지-D 1997 .09

최근 본 자료

전체보기

댓글(0)

0

UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2019-420-001260872