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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2018.6
- 수록면
- 427 - 431 (5page)
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본 논문에서는 최근 전력반도체 산업에서 활용되어지는 와이드밴드갭 반도체 중에 하나인 Ga₂O₃를 이용한 에피웨이퍼 성장에 관련되어 서술하였다. GaN 성장시 활용되어지는 HVPE법을 이용하여 Sn이 도핑된 Ga₂O₃ 기판웨이퍼에 평균 5.3㎛ 두께로 성장시켰다. 일반적으로 화합물반도체의 에피 두께가 5㎛일 경우 SiC의 경우 600V 전력반도체 소자를 제작할 수 있으며, Ga₂O₃ 에피웨이퍼의 경우에는 1000V이상의 전력소자를 제작할 수 있다. 성장된 에피웨이퍼의 J-V 측정 결과 2.9-7.7mΩ·㎠의 온저항을 얻을 수 있었으며, 역방향의 경우 상당히 높은 전압에서도 누설전류가 거의 없음을 알 수 있었다.
목차
Abstract
요약
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
References
참고문헌 (6)
참고문헌 신청
Takeyoshi Onuma / 2015 / Valence band ordering in β-Ga 2 O 3 studied by polarized transmittance and reflectance spectroscopy / Japanese Journal of Applied Physics 54(11):112601
Kohei Sasaki / 2013 / $\hbox{Ga}_{2} \hbox{O}_{3}$ Schottky Barrier Diodes Fabricated by Using Single-Crystal $\beta$– $\hbox{Ga}_{2} \hbox{O}_{3}$ (010) Substrates / IEEE Electron Device Letters 34(4):493~495
M. Higashiwaki / 2015 / Ga2O3 Schottky barrier diodes with n−-Ga2O3 drift layers grown by HVPE / Proc. 73rd IEEE Device Res. Conf. :29~30
Masataka Higashiwaki / 2012 / Gallium oxide (Ga 2 O 3 ) metal-semiconductor field-effect transistors on single-crystal β-Ga 2 O 3 (010) substrates / Applied Physics Letters 100(1):013504
Kohei Sasaki / 2013 / Si-Ion Implantation Doping in β-Ga 2 O 3 and Its Application to Fabrication of Low-Resistance Ohmic Contacts / Applied Physics Express 6(8):086502
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M. Higashiwaki / 2015 / Ga2O3 Schottky barrier diodes with n−-Ga2O3 drift layers grown by HVPE / Proc. 73rd IEEE Device Res. Conf. :29~30
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