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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2003.10
- 수록면
- 243 - 246 (4page)
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We report a study of ZnSSe/GaAs heterojunction solar cells grown by molecular beam epitaxy (MBE). ZnSSe/GaAs heterostructures prepared under different conditions were characterized in-situ by reflection high-energy electron diffraction (RHEED). Deep level transient spectroscopy (DL TS) measurements were carried out in the 200-350K temperature range. The point defect density of solar cell (CS#3), which was grown by atomic layer epitaxy (ALE), was very small compared to that of CS#l. Dark and illuminated I-V measurements were performed in order to compare any changes in solar cells. The solar cells (CS#3 and CS#4), which were grown by ALE, showed the improvement of open-circuit voltage (Voc) and conversion efficiency.
목차
Abstract
1.서론
2.실험 방법
3.실험 결과 및 고찰
4.결론
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