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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제12호
발행연도
2006.1
수록면
1,073 - 1,077 (5page)

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Proton irradiation technology was used for improvement of switching characteristics of the PT-IGBT. Proton irradiation was carried out at 5.56 MeV energy with 1×1012 /㎠ doze from the back side of the wafer. The I-V, breakdown voltage, and turn-off delay time of the device were analyzed and compared with those of un-irradiated device and e-beam irradiated device which was conventional method for minority carrier lifetime reduction. For proton irradiated device, the breakdown voltage and the on-state voltage were 733 V and 1.85 V which were originally 749 V and 1.25 V, respectively. The turn-off time has been reduced to 170 ns, which was originally 6 μs for the un-irradiated device. The proton irradiated device was superior to e-beam irradiated device for the breakdown voltage and the on-state voltage which were 698 V and 1.95 V, respectively, nevertheless turn-off time of proton irradiated device was reduced to about 60 % compared to that of the e-beam irradiated device.
#Proton #Irradiation #Lifetime #Minority carrier #PT-IGBT

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참고문헌 (11)

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/ 1977. / Comparison of gold platinum and electron irradiation for controlling lifetime in power rectifiers ed-24 : 685 ~ google schola / 1985. / Shorter turn-off times in insulated gate transistors by proton implantation edl-6 (5) : 224 ~ google schola / 1996. / Power Semiconductor Devices : 476 ~ google schola / 2000. / Ultra-fast recovery diodes meet today's requirements for high frequency operation and power ratings in SMPS applications : 1 ~ google schola / 2000. / 고속 전력변환용 반도체 switching 소자(IGBT)의 기술 및 특허동향" 13 (6) : 9 ~ google schola

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