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한국전기전자학회 전기전자학회논문지 전기전자학회논문지 제12권 제2호
발행연도
2008.6
수록면
110 - 117 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2008

낮은 온-저항과 빠른 스위칭 특성을 갖는 2500V급 IGBTs
신사무엘 ,  구용서 ,  원종일 외 2명 전기전자학회논문지 2008.06 학술저널
낮은 온-저항 특성을 갖는 2500V급 IGBTs
신사무엘 ,  손정만 ,  하가산 외 3명 대한전자공학회 학술대회 2008.06 학술대회자료
낮은 온-저항 특성을 갖는 2500V급 IGBTs
신사무엘 ,  손정만 ,  하가산 외 3명 대한전자공학회 학술대회 2008.06 학술대회자료

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본 연구는 전력용 스위칭 소자로 널리 활용되고 있는 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)소자로서 NPT(Non Punch Through) IGBT 구조에 기반 한 새로운 구조의 IGBT를 제안하였다. 제안된 구조는 기존 IGBT 구조의 P-베이스 영역 우측 부분에 N+를 도입함으로 N-드리프트 영역의 정공분포를 N+영역으로 밀집시켜 턴-오프 시 정공의 흐름을 개선, 기존 구조보다 더 빠른 턴-오프 시간과 더 낮은 순방향 전압강하를 갖는 구조이다. 또한 P+를 게이트 우측 하단에 형성함으로써 순방향 전압 강하 특성을 개선시키기 위해 도입한 캐리어 축적 층인 N+에 의해 발생하는 낮은 래치-업 특성과 낮은 항복 전압 특성을 개선시킨 구조이다. 시뮬레이션 결과 제한된 구조의 턴-오프와 순방향 전압강하는 기존 구조대비 각각 0.3us, 0.5V 향상된 특성을 보였다.
#IGBT #Power Device #Power Electronics #Turn-off

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참고문헌 (15)

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1. [단행본] - B.J.Baliga / 1996 / Power Semiconductor Device / PWS Pubishing Company : 446 ~ 455 google schola 2. [단행본] - T.K Khanna / 2003 / The Insulated Gate Bipolar Transistor Theory and Design / IEEE press google schola 3. [학술대회논문] - B. J. Baliga / 1982 / The Insulated Gate Rectifier(IGR): A New Power Switching Devices / Proc. IEDM : 265 ~ 265 google schola 4. [학술지(정기간행물)] - M. S. Adler / 1984 / The Evolution of Power Device Technology / IEEE Trans. Electron Devices 31 : 1570 ~ 1591 google schola 5. [학술지(정기간행물)] - Wanjung Kim / 2003 / An Improved Turn-off Gate Control Scheme for Series Connected IGBTs / 전력전자학회 논문지 (1) : 99 ~ 104 google schola

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