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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제12호
발행연도
2004.1
수록면
1,308 - 1,313 (6page)

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Proton irradiation technology was used for the improvement of power diode switching characteristics. Proton irradiation was carried out at the energies of 2.32 MeV, 2.55 MeV, 2.97 MeV so that the projection range of irradiated proton would be at the metallurgical junction, depletion region and neutral region of pn diode, respectively. Dose conditions were varied into three conditions of 1×1011 ㎝-2, 1×1012 ㎝-2, 1×1013 ㎝-2 at each condition of energies. Characterization of the device was performed by I-V(current-voltage), C-V(capacitance-voltage) and trr(reverse recovery time) measurement. At the optimum condition of irradiation, the reverse recovery time of device has been reduced about 1/5 compared to that of original un-irradiated device.
#Proton #Trr #Diode #Projection range

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참고문헌 (10)

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/ 1989. / Use of proton irradiation in semiconductor power devices technology 72 : 133 ~ google schola / 1990. / Determination of spatial variation of the carrier lifetime in a proton-irradiated Si N+-N-P+ diode by OBIC measurements 37 (9) : 2076 ~ google schola / 1994. / Accurate simulation of fast ion irradiated power devices 37 (1) : 127 ~ google schola / 1999. / Power Semiconductor Devices Theory and Application : 162 ~ google schola / 2000. / 고속 전력변환용 반도체 Switching 소자(IGBT)의 기술 및 특허동향 13 (6) : 9 ~ google schola

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