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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.6
- 수록면
- 1,244 - 1,247 (4page)
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The Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is a minority-carrier device with high input impedance and large bipolar current-carrying capability. It is dominantly used to provide the fast switching of high voltage application. In this paper, as the IGBTs stacked on a Pulsed Power Supply are synchronously switched on and off, they play the key role to generate the high voltage and high current pulse with the short width. The timing characteristics of IGBTs were studied to get the stable and safe high powered system. In the future, this study will be used to achieve the good quality of the IGBT-based devices.
목차
Abstract
I. 서론
II. 본론
Ⅲ. 구현 및 실험결과
Ⅳ. 결론 및 향후 연구 방향
참고문헌
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